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1、镓砷化镓半导体第三代碳化硅碳化硅,氮化镓氮化镓半导体与与基底器件功耗对比基底器件功耗对比与与基底器件效率对比基底器件效率对比,等,中信证券研究部,碳化硅工艺流程碳化硅工艺流程碳化硅粉末碳化硅粉末碳化硅晶片碳化硅晶片碳化硅器件碳化硅器件,杨玺。

2、化工分析师敖翀敖翀首席周期产业分析师李超李超有色分析师产业中心向产业中心向大陆转移,未来几年有望景气度大陆转移,未来几年有望景气度向上向上,在国产化进程中,在国产化进程中,预计预计目目前材料端国产化率偏低的领域前材料端国产化率偏低的领域将将。

3、汽车与零配件海通综指资料来源,海通证券研究所相关研究相关研究,年月全球新能源汽车市场总结,整体市场下滑,欧洲表现突出,全球新能源及无人驾驶行业跟踪周报,通用发布全新电池技术,更新传感器套件,年月汽车数据解读及投资展望,春节假期提前,部分需求。

4、率半导体上,因此IDM模式能够确保产品良率,控制成本,国内外差距没有一,二代半导体明显,先发优势是半导体行业的特点,Cree高市占率也印证了先发优势的重要性,相较亍Si,国产厂商对SiC研究起步时间不国外厂商相差丌多,因此国产厂商有希望追上。

5、基于SIC材料的功率器件相比传统的Si基功率器件效率高,损耗小,在新能源车,光伏风电,不间断电源,家电工控等有广阔的应用前景,目前SICSIC行业发展的瓶颈行业发展的瓶颈主要主要在于在于SICSIC衬底成本高衬底成本高,是Si的4,5倍,预。

6、器件有望取代有望取代Si基,超基,超400亿美元市场待开拓亿美元市场待开拓,根据Omdia预计,2020年全球功率半导体市场规模约为431亿美元,至2024年将突破500亿美元,当前功率器件仍以Si基为主,但SiC基器件低能量损耗,耐高压。

7、得优先的产品迭代机会,在应用市场,将取代,市场渗透率大,应用于基站,卫星等大功率射频,为低功率小型化器件,各有优势,各有市场,高频,高温,高压性能优于硅,能量密度高,芯片尺寸可小,同样功率面积可减少,低导通损耗,功率转换效率高,系统能耗降低。

8、在GaAs晶圆制造环节,台系代工厂稳懋一家独大,占据了GaAs晶圆代工市场的71,份额,其次为台湾地区的宏捷,9,与美国的GCS,8,从竞争格局来看,GaAs器件市场参与者较多,多为美国,日本与台系厂商,其中美国厂商占据前三地位,Skywo。

9、整车续航里程的提升也有着紧密的联系,第三代半导体材料在提高能效,电源系统小型化,提高耐压等方面的性能已经达到了硅器件无法企及的高度,小鹏汽车动力总成中心IPU硬件高级专家陈宏表示,相比硅基功率半导体,第三代半导体碳化硅MOSFET具有耐高温。

10、起到了明显的带动作用,国内企业在碳化硅衬底领域市场占有率快速增长,根据山东天岳招股书,半绝缘型碳化硅衬底市场,山东天岳在中国市场处于领先位置,根据Yole数据,2019,2020年,在半绝缘型碳化硅衬底领域,天岳先进公司按销售额统计的市场份。

11、层生长,器件制造以及下游应用,衬底属于碳化硅产业链上游,制备工艺复杂,生长速度慢,产出良率低,是碳化硅产业链亟待突破的最核心部分,也是国内外厂商重点发力的环节,根据CASA,产业链价值量集中于衬底环节,目前价值量占整个产业链50,左右,与硅。

12、域高景气度推动公司半绝缘型衬底高速衬底高速成长成长,新能源汽车新能源汽车渗透渗透率提升,率提升,光伏光伏装机装机建设建设加速,加速,公司导电型衬底公司导电型衬底产能产能加速扩张加速扩张满足市场需求满足市场需求,国内半绝缘型碳化硅衬底龙头,国。

13、主营产品为4英寸半绝缘型碳化硅衬底,正在募投进行6英寸导电型碳化硅衬底建设,公司营收由2018年的1,36亿元增长至2020年的4,25亿元,年复合增长率达76,8,主要受益于碳化硅基射频器件需求增长,天岳先进股权结构稳定,实控人为董事长宗。

14、必行,92,1碳化硅性能卓越,优势明显,92,2射频器件需求增长拉动半绝缘型衬底市场扩张,102,3导电型碳化硅衬底市场规模快速增长,功率器件应用广泛,122,4高技术壁垒带来高集中度,国产化空间广阔,163深入布局碳化硅衬底,奋力成为行业。

15、化硅更是申驱系统向高申压升级癿核,芯,解决申劢汽车里程焦虑和充申速度慢两大核心痛点,众多车企对800V申压平台癿持续布尿再次拉升了碳化硅器件癿需求,2030年碳化硅市场规模将超300亿美元,2021到2030年复合增速预计高达50,6,全球。

16、4碳化硅行业投资逡辑总览资料来源,斱正证券研究所国家政策利好SiC材料优势前景光明下游需求枀大上游供给短缺材料为王目前SiC产量供丌应求高重要性核心中癿核心企业扩产布局高成长性投资聚焦碳化硅行业SiC衬底制造难度大,成本高行业处于产能铺设5。

17、92,SiC衬底,新能源车带来百亿级市场空间,国衬底,新能源车带来百亿级市场空间,国产替代可期产替代可期,112,1,市场空间,新能源车带来百亿级市场空间,光伏逆变器应用前景可期,112,2,竞争格局,国内外差距逐步缩小,国产替代可期,15。

18、半导体面临摩尔定律失效,碳化硅作为第三代半导体材料,具有更宽的禁带宽度,更高的击穿电场,更高的热导率等性能优势,在高温,高压,高频领域表现较为优异,有望成为未来技术突破的主要方向,另一方面,碳化硅器件以衬底为核心,在晶圆制造中成本占比约55。

19、联系人廖健雄廖健雄,行业行业走势图走势图资料来源,华泰研究重点推荐重点推荐股票名称股票名称股票代码股票代码目标价目标价,当地币种当地币种,投资评级投资评级闻泰科技,买入华润微,买入斯达半导,买入北方华创,买入华峰测控,买入资料来源,华泰研究。

20、国内厂商存广阔替代空间市场处于高速成长阶段,国内厂商存广阔替代空间,11乘碳中和之东风,2025年市场规模有望较2020年翻5倍,11海外厂商普遍看好SiC市场空间,相关业务业绩展望乐观,12竞争格局,衬底及外延市场集中度高,器件领域海外厂。

21、保护环境和减少污染,为人们提供健康,适用和高效的使用空间,与自然和谐共生的建筑,摘自绿色建筑评价标准GB50378,一,绿色建筑和绿色建材的概况和分类1,1绿色建筑概念节材节水节地节能一,绿色建筑和绿色建材的概况和分类发展需求舒适需求基本需。

22、件市场规模将由年,亿美元增长至年,亿美元,达,至年汽车领域市场规模将达到近亿美元,市场份额占比约,除汽车外,碳化硅器件在工业和能源应用领域也将迎来,以上增速,年市场规模分别达到,亿美元和,亿美元,据第三代半导体风向,三安光电预计年寸碳化硅晶。

23、产化提供便利条件,便利条件,近年来光伏逆变器市场格局发生巨大变化,国内逆变器厂商从追随者转变为领军者,根据伍德麦肯兹数据,2020年在全球逆变器出货排名前十中,有六家来自中国的供应商,分别是华为,阳光电源,古瑞瓦特,锦浪科技,上能电气和固德。

24、103,军工新材料是高端武器装备发展的先决要素,114,十四五,军工材料迎来快速扩张,军转民,带来第二增长动力,145,重点军工材料企业,16二,金属材料篇,181,钛合金新型武器装备的明星金属,181,1,钛合金性能优良,在军工装备中应用。

25、研究报告中国有色金属中国有色金属,碳化硅,新一代半导体材料,打开新能源车百亿市场空间,股票名称评级股票名称评级紫金矿业川能动力赣锋锂业石英股份天齐锂业银泰黄金华友钴业金力永磁洛阳钼业盛屯矿业山东黄金安宁股份南山铝业安宁股份铜陵有色甬金股份天。

26、资料来源,聚源相关研究相关研究年电子行业投资策略,渗透率持续提升,半导体供应链安全大势所趋,行业深度,通讯消费电子汽车齐发力,替代传统线束前景可期,半导体设备行业深度,新一轮景气周期,大国重器替代正当时,年电子行业中期策略,引领新成长,国产。

27、报告导读报告导读以为代表的第三代半导体正凭借着其击穿电场高,热导率高,电子饱和速率高,抗辐射能力强等优势在新能源汽车,等战略新兴领域大展拳脚,从产业链来看,衬底是产业渗透率提升爆发的核心赛道,天岳先进作为国内半绝缘型衬底龙头,有望将成功经验。

28、高峰目录四,新材料投资并购方向,趋势和策略依托专业中介机构,项目源更丰富海外并购崛起新材料投资并购热点方向一,新材料产业的概况材料的发展历史就是人类的发展史,金,铜青铜铁铸铁钢合金钢轻合金高温合金钛合金锆合金木材皮革纤维皮胶橡胶胶木尼龙聚醚。

29、称,工业牙齿,主要用于切削工具,冲压工具,模具,采矿和筑路工程机械等领域,图表,硬质合金产品图图表,硬质合金产品图1,1,2产品分类产品分类目前,硬质合金的分类尚无统一标准,有人按照合金形状分为球形,棒状及棒状三大类,一般来说,行业通常按照。

30、长周期,新能源车驱动,化合物半导体迎成长周期,化合物半导体适用于高压,高频,高功率领域,射频,光电子需求旺盛,国产替代刺激加速发展,射频和光电子领域需求旺盛,有望迎来高速增长,产业链各环节均以海外厂商为主,代工为国产化闭环必争环节,产能释放。

31、网等行业有长期深厚积淀,公司通过收购积淀,公司通过收购Dyne,掌握掌握IGBT技术实力,技术实力,自高压领域向中低压延伸,自高压领域向中低压延伸,积极发展以积极发展以IGBT为基础的新兴装备业务,同时产能充足,为基础的新兴装备业务,同时产。

32、研究报告,首次覆盖,全球衬底龙头发力车用功率器件,首次覆盖优于大市首次覆盖优于大市评级优于大市现价,目标价,市值,日交易额,个月均值,发行股票数目,自由流通股,年股价最高最低值,注,现价,为年月日收盘价资料来源,绝对值,绝对值,美元,相对。

33、在2020年已成为中国IGBT第一大应用领域,占比约30,全球主要功率半导体供应商陆续宣布涨价,毛利率得到显著的提升,2021年行业经历的缺货行情仍在延续,头部供应商明显感受到供不应求的产能紧张状况,高功率IGBT价值凸显,大功率新能源车所。

34、mmary投资要点,投资要点,SiC具有优秀的材料特性具有优秀的材料特性,碳化硅,SiC,是一种化合物半导体材料,被称为第三代半导体材料,由于SiC具有宽禁带宽度,从而导致其有高击穿电场强度,低本征载流子浓度,使得SiC功率器件具有耐高压。

35、本,百万股,股总市值,百万元,流通股市值,百万元,每股净资产,元,资产负债率,一年内最高最低,元,作者作者潘暕潘暕分析师执业证书编号,俞文静俞文静分析师执业证书编号,资料来源,聚源数据相关报告相关报告股价股价走势走势国内稀缺国内稀缺陶瓷衬板。

36、工艺掌握颇深对覆铜工艺掌握颇深,针对陶瓷覆铜工,针对陶瓷覆铜工艺也有较为艺也有较为丰富的经验,丰富的经验,DBCAMBTPCDPC,随着下游各需求场景的爆发,随着下游各需求场景的爆发,SiC模块上车,军工,激光雷达等,以模块上车,军工,激光。

37、026年碳化硅器件市场规模有望成长至89亿美元,当前SiC功率器件价格较高,是硅基IGBT的35倍左右,但凭借优异的系统节能特性,SiC器件开始在新能源汽车,光伏,储能等领域替代硅基器件,SiC引领行业变革,新需求快速涌现,新能源汽车是碳化。

38、片皇冠,国产替代空间广阔,贸易战没有赢家,自主发展是正道,半导体国产化政策扶持正当时,全产业链拆解,新能源行业下一代浪潮之基核心观点需求端,需求端,年年功率器件市场规模可达功率器件市场规模可达,亿美元,亿美元,因物理特性上较更有优势,做成器。

39、及细栅银浆技术,TOPCon高效电池成套银浆技术,超低体电阻低温银浆技术等多项核心技术,经过多年发展,公司性能优异,品质稳定的正银产品不断获得客户的认可,公司已与通威太阳能,东方日升,横店东磁,晶澳科技,中来光电,润阳悦达,阿特斯,金寨嘉悦。

40、间,元,总市值,百万元,总股本,百万股,股,百万股,股股,百万股,日均成交量,百万股,历史收益率曲线,涨跌幅,绝对收益,相对收益,相关报告东尼电子,碳化硅业务取得重大突破,未来成长可期,正确认识大陆半导体各环节差距,逐个击破,证券分析师,李。

41、布局围绕第三代半导体展开,主要包括半导体材料,功率器件和射频器件,公产品布局围绕第三代半导体展开,主要包括半导体材料,功率器件和射频器件,公司前身是集司前身是集LEDLED,照明和化合物半导体业务为一身的著名制造商,照明和化合物半导体业务为。

42、碳化硅器件行业国内外技术差距碳化硅器件扩大应用技术难点碳化硅器件行业降低成本技术路径19202127第三章产业链上游衬底衬底定义与分类全球碳化硅衬底市场规模国内外衬底差距衬底竞争格局衬底发展趋势中国衬底产能布局和规划282930313233。

43、证券分析师证券分析师黄瑞连黄瑞连执业证书,股价走势股价走势市场数据市场数据收盘价,元,一年最低最高价,市净率,倍,流通股市值,百万元,总市值,百万元,基础数据基础数据每股净资产,元,资产负债率,总股本,百万股,流通股,百万股,相关研究相关研。

44、研究员余熠余熠,研究员刘溢刘溢,联系人张宇张宇,联系人廖健雄廖健雄,联系人郭春杏郭春杏,行业行业走势图走势图资料来源,华泰研究重点推荐重点推荐股票名称股票名称股票代码股票代码目标价目标价,当地币种当地币种,投资评级投资评级北方华创,买入联创。

45、0090003SiC器件性能优势显著,下游应用环节器件性能优势显著,下游应用环节广阔,在高功率应用上替代硅基产品具广阔,在高功率应用上替代硅基产品具有强确定性,有强确定性,预计预计未来几年行业将保持高增速,未来几年行业将保持高增速,当前时间。

46、游凡执业证书编号,执业证书编号,基本状况基本状况总股本,百万股,流通股本,百万股,市价,元,市值,百万元,流通市值,百万元,股价与行业股价与行业,市场走势对比市场走势对比公司持有该股票比例相关报告相关报告,公司盈利预测及估值公司盈利预测及估。

47、目录前言,引言,概述,功率器件,功率器件产品的商业化,功率器件发展趋势,功率器件可靠性评价的挑战,参考文献,器件可靠性因素分析,晶圆关键工艺可靠性因素分析,晶体缺陷,离子注入,刻蚀,欧姆接触,栅氧界面,芯片发展趋势与可靠性分析,结终端技术。

48、总股本,百万股,股,百万股,股股,百万股,日均成交量,百万股,历史收益率曲线,涨跌幅,绝对收益,相对收益,相关报告捷佳伟创,业绩超预期,多元化布局稳固龙头地位,证券分析师,李恒光证券分析师,李恒光执业证书编号,研究助理,高伟杰研究助理,高伟。

49、陶瓷,铈锆固溶体,分子筛,生物医疗材料,氧化锆粉体和瓷块,和其他材料,陶瓷墨水,四大业务板块,同时进军新能源行业,锂电隔膜涂覆氧化铝勃姆石,和精密陶瓷结构件行业,氮化硅陶瓷球,陶瓷基板等,2008,2022年营业收入和净利润CAGR分别为3。

50、股最近一年走势相对恒生指数表现表现赛晶科技,恒生指数,市场数据当前价格,港元,周价格区间,港元,总市值,百万港元,流通市值,百万港元,总股本,万股,流通股本,万股,日均成交额,百万港元,近一月换手,投资要点,投资要点,赛晶科技赛晶科技深耕功。

51、设,驱动因素及主要预测关键假设,关键假设,1,新能源汽车渗透率持续提升,SiC迎来上车导入期,2,国产材料商,设备商市场份额逐步提升,驱动因素,驱动因素,1,新能源汽车渗透率持续提升,我们预计未来三年全球装机量CAGR约30,2,衬底环节。

52、主要预测,关键假设,驱动因素及主要预测关键假设,关键假设,1,新能源汽车渗透率持续提升,SiC迎来上车导入期,2,国产材料商,设备商市场份额逐步提升,驱动因素,驱动因素,1,新能源汽车渗透率持续提升,我们预计未来三年全球装机量CAGR约30。

53、速膨胀成为了半导体产业内重点关注的问题,以碳化硅为首的第三代半导体材料在这一趋势下逐渐从科研走向产业化,并成为替代部分硅基功率器件的明确趋势,然而,目前行业仍存在一些挑战和改进的空间,未来需要对产业链各环节进行优化和改进,下面,我们将从半导。

54、假设,驱动因素及主要预测,关键假设,驱动因素及主要预测关键假设,关键假设,1,新能源汽车渗透率持续提升,SiC迎来上车导入期,2,国产材料商,设备商市场份额逐步提升,驱动因素,驱动因素,1,新能源汽车渗透率持续提升,我们预计未来三年全球装机。

55、年起,以硅,Si,为代表的半导体材料取代了笨重的电子管,推动了以集成电路为核心的微电子产业迅速发展,硅材料属于间接带隙,电子跃迁至导带时需要改变动量,光利用率低,且带隙窄,不耐压,适用于低压,低频,中功率集成电路,在光电子领域和高频高功率器。

56、18217567458相关研究相关研究公司公司为国内长晶设备领先供应商,多点布局实现快速发展,为国内长晶设备领先供应商,多点布局实现快速发展,公司以蓝宝石单晶炉起家,目前主营三类产品,半导体级单晶硅炉,SiC单晶炉,以自动化拉晶控制系统为代。

57、析师张益敏证书编号,分析师分析师吴姣晨证书编号,相关报告国产碳化硅衬底佼佼者,国产碳化硅衬底佼佼者,公司成立于年,最初以英寸半绝缘型衬底产品为主,经过十余年的技术发展,实现了英寸导电型碳化硅衬底批量销售,并自主扩径完成高品质英寸导电型碳化硅。

58、电话,邮箱,销售服务电话,销售服务电话,行业走势图行业走势图,年月日,资料来源,华宝证券研究创新部相关研究报告相关研究报告,高压快充趋势及产业链降本,加速碳化硅产业进展,解决续航焦虑最后一棒,快充进程加快催生材料新变化,投资要点投资要点碳化。

59、芯片,芯片,芯片和芯片和模块,实现进口替代,其中模块,实现进口替代,其中模块产品超过模块产品超过种,电压等级涵盖种,电压等级涵盖,电流等级涵盖,电流等级涵盖,产品已被成功应用于新能源汽车,变频器,逆变焊机,产品已被成功应用于新能源汽车,变频。

60、国电源学会发布,未经作者同意禁止转载SiCMOSFET技术进展与发展方向作者授权中国电源学会发布,未经作者同意禁止转载作者授权中国电源学会发布,未经作者同意禁止转载作者授权中国电源学会发布,未经作者同意禁止转载作者授权中国电源学会发布,未经。

61、性性,不存在虚假记载,误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任,不存在虚假记载,误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任,二,二,公司公司全体董事出席全体董事出席董事会会议,董事会会议,三,三,中审亚太会计师事务所,特殊普通。

62、网站仔细阅读年度报告全文,网站仔细阅读年度报告全文,22本公司董事会,监事会及董事,监事,高级管理人员保证年度报告内容的真实本公司董事会,监事会及董事,监事,高级管理人员保证年度报告内容的真实性性,准确,准确性性,完整完整性性,不存在虚,不。

63、虚假记载,误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任,不存在虚假记载,误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任,二,二,公司公司全体董事出席全体董事出席董事会会议,董事会会议,三,三,容诚会计师事务所,特殊普通合伙,容诚会计师。

64、内容的真实,准确,完整,不存在虚假记载,误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连实,准确,完整,不存在虚假记载,误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任,带的法律责任,公司负责人巨建辉,主管会计工作负责人刘咏及会计机构负责人公司负责人巨。

65、性性,不存在虚假记载,误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任,不存在虚假记载,误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任,二,二,公司公司全体董事出席全体董事出席董事会会议,董事会会议,三,三,中审亚太会计师事务所,特殊普通。

66、性性,不存在虚假记载,误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任,不存在虚假记载,误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任,二,二,公司公司全体董事出席全体董事出席董事会会议,董事会会议,三,三,中审亚太会计师事务所,特殊普通。

67、虚假记载,误导性陈述或者重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任,1,2公司全体董事出席董事会审议季度报告,1,3公司负责人樊黎黎,主管会计工作负责人王秀玲及会计机构负责人,会计主管人员,梁翠燕保证季度报告中财务报表的真实,准确,完整,1,4本。

68、http,网站仔细阅读半年度报告全文,网站仔细阅读半年度报告全文,1,21,2本公司董事会,监事会及董事,监事,高级管理人员保证本公司董事会,监事会及董事,监事,高级管理人员保证半半年度报告内容的真实,准确,完年度报告内容的真实,准确,完整。

69、完整,不存在虚假记载,误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任,整,不存在虚假记载,误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任,二,二,公司公司全体董事出席全体董事出席董事会会议,董事会会议,三,三,本半年度报告本半年度报告未。

70、性,完整完整性性,不存在虚假记载,误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任,不存在虚假记载,误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任,二,二,公司公司全体董事出席全体董事出席董事会会议,董事会会议,三,三,本半年度报告本半年。

71、性,完整完整性性,不存在虚假记载,误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任,不存在虚假记载,误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任,二,二,公司公司全体董事出席全体董事出席董事会会议,董事会会议,三,三,本半年度报告本半年。

72、性,完整完整性性,不存在虚假记载,误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任,不存在虚假记载,误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任,二,二,公司公司全体董事出席全体董事出席董事会会议,董事会会议,三,三,本半年度报告本半年。

73、高级管理人员保证季度报告内容的真实,准确,完整,不存在虚假记载,误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任,公司负责人,主管会计工作负责人及会计机构负责人,会计主管人员,保证季度报告中财务信息的真实,准确,完整,第三季度财务报表是否经。

74、控和高端消费三大应用领域,在产业链日益内卷的背景下,公司基于独特的系统代工模式,不断,卷,技术,卷,市场,与终端客户建立深度合作,进而获得多个重大客户定点,这些新产品的全面客户导入和大规模上量为公司未来几年的高速增长提供强大动力和坚定信心。

75、0549FORM10,K,MarkOne,ANNUALREPORTPURSUANTTOSECTION13OR15,d,OFTHESECURITIESE,CHANGEACTOF1934ForthefiscalyearendedDecember。

76、cember31,2018ORTRANSITIONREPORTPURSUANTTOSECTION13OR15,d,OFTHESECURITIESE,CHANGEACTOF1934FORTHETRANSITIONPERIODFROMTOCom。

77、cember31,2019ORTRANSITIONREPORTPURSUANTTOSECTION13OR15,d,OFTHESECURITIESE,CHANGEACTOF1934FORTHETRANSITIONPERIODFROMTOCom。

78、cember31,2020ORTRANSITIONREPORTPURSUANTTOSECTION13OR15,d,OFTHESECURITIESE,CHANGEACTOF1934FORTHETRANSITIONPERIODFROMTOCom。

79、的最佳水平有工业电机均为同类产品的最佳水平目前与同类最佳技术的差距为目前与同类最佳技术的差距为20,电机消耗了全球电力生产总量的电机消耗了全球电力生产总量的53,机器人机器人CAGR14,9,车床工具车床工具CAGR8,8,半导体机器半导体。

80、最大輸入電壓,最小輸入電壓,輸入電壓範圍,額定輸入電流,最大輸入電流,方案規格,額定輸出電壓,最大輸出電壓,額定輸出電壓,最大輸出電流,最大輸出功率,系統方塊圖,系統方塊圖,系統方塊圖,波形,系統方塊圖,參數設計。

81、电压,数输出规格与要求输出电压,频率输出功率额定,最大,通过或从电感器到的电流从输出端和电感器到的能量通过和从输出端到点和电感器的电流从输出到点和电感器的能量,能量释放,能量释放型三相运行,能量释放,能量释放,通过二极管或从电感器到的电流从。

82、器件,模块,产品应用,半导体设备,二,技术发展现状及趋势,衬底,外延,器件,模块,三,产业宏观环境及整体发展情况,一,全球发展环境及整体发展情况,中关村半导体照明工程研发及产业联盟,国际碳化硅产业链及重点龙头企业,国际碳化硅产业投资并购重大。

83、的栅极氧化层可靠性简介,栅极氧化层可靠性筛查的基本方面,用于外部栅极氧化层可靠性评价的应力试验,马拉松应力试验,栅极电压步进应力试验,结论工业级的栅极氧化层可靠性偏压温度不稳定性,在恒定栅极偏压条件下的参数变化,简介,测量功率器件的,和功率。

84、泵,光伏,电动汽车,甚至电动飞行器,智能电网,都需要用到这些硅基器件更高的电压更高的电流更好的热性能更少的能量损失更加快的切换速度更小的尺寸和重量更高的效率更高的效率早在上世界70年代,已经开始将碳化硅作为新的宽禁带材料进行研究,待80年代。

85、者关断电流流动没有电流流动电流电流电压电压时间时间时间二极管晶体管车规级半导体功率模块测试解决方案时间功率半导体的发展晶闸管时代双极性晶体管场效应晶体管时代时代车规级半导体功率模块测试解决方案功率半导体的行业应用适用于高频应用,而适用于高压。

86、化硅路线图,8双通道沟槽概念,9衬底,14面向未来拓展碳化硅,过渡至200毫米晶圆尺寸,1505博世的碳化硅产品组合,183I1901I摘要01摘要本白皮书探讨了博世在汽车应用领域的碳化硅,SiC,半导体技术,凭借超过20年的碳化硅研发经验。

87、GaN器件需求提升,有望打开产业成长空间,器件需求提升,有望打开产业成长空间,部分投资者认为,由于碳化硅车型在新能源车领域的渗透率逐步迈向较高水平等原因,第三代半导体行业未来发展空间可能受限,但我们认为,SiCGaN在AI算力设施供电系统中。

88、眼镜业务达成合作,四家公司正式签署AIAR产业链战略合作协议,25年2月21日,天科合达和慕德微纳成立合资公司,双方旨在AR衍射光波导镜片技术研发与推广展开合作,为什么SiC是衍射光波导的理想选择,碳化硅基SRG波导是一项革命性的创新,特性。

89、程如莹程如莹分析师执业证书编号,李泓依李泓依分析师执业证书编号,资料来源,聚源数据相关报告相关报告半导体,行业研究周报,存储模拟拐点或现,智驾,光子芯片风起云涌,半导体,行业研究周报,美对华半导体出口管制落地,股进入业绩预告期,半导体,行业。

90、军工,农林牧渔,计算机,涨跌幅后五分别为,汽车,电力设备,有色金属,综合,食品饮料,沪深指数,年月日,据华尔街日报报道,全球领先衬底供应商准备提交破产申请,公司股价在美国盘后交易中下跌超,财报显示,公司营业收入为,亿美元,同比,毛利润为,亿。

91、行业月报行业月报强于大市强于大市,维持维持,新材料新材料相对沪深相对沪深300指数表现指数表现资料来源,中原证券研究所,聚源相关报告相关报告新材料行业月报,日本EDP发售1英寸金刚石单晶晶圆,七部门提出设立国家创业投资引导基金2025,05。

92、准确性性,完整,完整性性,不,不存在虚假记载,误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任,存在虚假记载,误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任,二,二,公司公司全体董事出席全体董事出席董事会会议,董事会会议,三,三,本半年度。

93、23年开始大批装车的基础上持续放量配套更多的整车品牌,1200V车规级IGBT模块开始批量装车,同时新增多个800V系统车型的主电机控制器项目定点,公司和深蓝汽车战略深入合作,合资公司重庆安达半导体将围绕IGBT,SiC等车规级功率模块开展。

94、料塑封料有机硅产品低温固化环氧粉末包封料涂装工艺性优良,涂装温度低,固化温度低薄膜电容器厦门法拉电子股份有限公司中温固化环氧粉末包封料涂装工艺性优良,固化物外观光泽度高,固化温度适中,可适用于外观不规整的电子元器件封装TMOV,热保护型压敏。

95、GaN器件需求提升,有望打开产业成长空间,器件需求提升,有望打开产业成长空间,部分投资者认为,由于碳化硅车型在新能源车领域的渗透率逐步迈向较高水平等原因,第三代半导体行业未来发展空间可能受限,但我们认为,SiCGaN在AI算力设施供电系统中。

96、基本数据基本数据,当前股价,元,总市值,亿元,总股本,百万股,流通股本,百万股,周价格范围,元,日均成交额,百万元,市场表现市场表现资料来源,华鑫证券研究相关研究相关研究,天岳先进,基本面拐点进一步明确,单季度收入利润创新高,天岳先进,收入。

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