盛美半导体设备

1、万业企业:进军半导体设备 证券研究报告首次覆盖 2020年1月17日 方正科技首席分析师: 陈杭 S1220519110008 方正科技半导体分析师:范云浩S1220519120001 核心观点核心观点 从房地产业务转型半导体装备领域从房地。

2、证券研究报告 2020年2月15日 芯片国产化系列三芯片国产化系列三 半导体材料行业研究框架总论半导体材料行业研究框架总论 半导体景气开启设备先行材料接力半导体景气开启设备先行材料接力 方正科技组首席分析师陈杭: S122051911000。

3、 请务必阅读正文之后的免责条款部分 全球视野全球视野 本土智慧本土智慧 行业行业研究研究 Page 1 证券研究报告证券研究报告深度报告深度报告 电子元器件电子元器件 半导体专题研究系列八半导体专题研究系列八 超配超配 2020 年年 02。

4、 识别风险,发现价值 请务必阅读末页的免责声明 1 1 4343 TablePage 行业专题研究机械设备 2020 年 5 月 21 日 证券研究报告 半导体设备系列研究十四半导体设备系列研究十四 半导体半导体 ATE:国产装备向中高端进。

5、 TableTitle 半导体设备之封装设备,国产化率亟待提高 TableTitle2 TableSummary 晶圆在封装前和封装过程中需进行多次多种测试,如 WAT 测 试CP 测试FT 测试等,所涉及设备包括探针探测试机 分选机等,该。

6、 请务必阅读正文之后的免责条款部分请务必阅读正文之后的免责条款部分 证券研究报告证券研究报告 疫情影响有限疫情影响有限,重点关注半导体设备及油气装备重点关注半导体设备及油气装备 2020 年年 02 月月 11日日 评级评级 同步大市同步大。

7、 检测设备系列之二:半导体测试设备 进口替代正当时 检测设备是大家关注但是在划分上通常并不清晰的一类设备. 我们接下来的一系列报告希望能够深度挖掘检测设备的技术内 核以及在不同行业中的不同应用. 半导体行业是首要分析的下游之一.大家口中的半。

8、仍有较大的国产提升空间.贸易战对我国半导体核心技术卡脖子半导体产业链中,上游半导体设备和中游制造对美依存度极高,核心芯片的国产化比率极低,存在受技术限制的可能性;相比之下,中游封测和下游终端市场领域对美依存度小,受到影响较小.贸易战背景下。

9、于全球的14,是全球市场增长的主要动力.全球竞争格局集中,国产替代加速.全球半导体设备竞争格局高度集中CR5占比75龙头企业收入体量大营收超过百亿美元产品布局丰富.相比而言,国内设备公司体量较小产品线相对单一.在02专项等政策的推动下,大陆。

10、 请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明 TableMainInfo 公司研究公司研究信息设备信息设备半导体产品与半导体设备半导体产品与半导体设备 证券研究报告 恒玄科技恒玄科技公公司研究司研究 2020 年 10 月 09 日 Table。

11、检测设备从设计验证到整个半导体制造过程都具有无法替代的重要地位.中国继承电路的发展国内因为某程度上的故障带来了转机,根据 CSIA 数据显示,2018年国内集成电路市场规模就有 985 亿美元,同比增长 18.53,2010 年至 2018。

12、 请务必阅读正文之后的信息披露和法律声明 TableMainInfo 行业研究信息设备半导体产品与半导体设备 证券研究报告 行业深度报告行业深度报告 2020 年 10 月 20 日 TableInvestInfo 投资评级 优于大市 优于。

13、 stylewhitespace: normal;目前,国际国内市场中检测设备被国外高度垄断,目前绝大部分半导体设备依然高度依赖 进口,提升核芯技术自主化率已迫在眉睫.pp stylewhitespace: normal;量检测设备领域。

14、SiC碳化硅是制作高温高频大功率高压器件的理想材料之一:由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料.相比传统的硅材料Si,碳化硅SiC的禁带宽度是硅的 3 倍;导热率为硅的 45 倍;击穿电压为硅的 8 倍;电子饱和漂移速率为硅的 2 倍。

15、测试沉积炉管刻蚀清洗设备招标台数居前.从中标数量来看,20172021Q1测试设备前道后道超 2000 台沉积设备937 台炉管设备869 台刻蚀设备677 台清洗设备601 台中标量较多,主要原因系:1随着制程精度提升,刻蚀沉积加工次数。

16、刻蚀是用化学物理化学物理结合的方法有选择的去除光刻胶开口下方的材料.被刻蚀的材料包括硅介质材料金属材料光刻胶.刻蚀是与光刻相联系的图形化处理工艺.刻蚀就是利用光刻胶等材料作为掩蔽层,通过物理化学方法将下层材料中没有被上层遮蔽层材料遮蔽的地方。

17、定增接连落地稳步推进扩产能,扩大竞争优势.2020 年公司资本开支迅速增长,达到 6.683 亿元,同增 290.5,主要系公司发力高端设备,扩产项目持续推进所致.2019 年 公司定增募集资金 20 亿元加码高端装备研发及高精密电子元器件。

18、工艺排气管道以不锈钢涂层风管为主,涉及的核心技术为 ECTFEETFE 喷涂技术.公司生 产的 ECTFE 涂层风管和 ETFE 涂层风管已经先后通过 FM Approvals 关于洁净室专用的排 气及排烟管道系统认证,除泛半导体外,还被广。

19、低自给率叠加国产化替代进程加快,大陆设备商步入高增长机遇期大陆半导体产业历经四个发展阶段,现已步入快速发展期.19571975 年为中国半导体起步阶段,部分半导体器件开始了初步的研发;改革开放后至 2000 年间,我国先后建立多条晶圆产线。

20、2021 年 2 月 6 日,公司正式发布定增注册稿,拟向特定对象发行 A 股股票募资不超过 100 亿元用于中微产业化基地建设项目中微临港总部和研发中心项目科技储备资金.2021 年 8 月 25 日公告,公司向特定对象发行人民币普通股A。

21、国内测试设备市场规模约占全球市场份额的 25左右,国内设计厂商强势崛起驱动国内设备份额占比持续提升.我们参考全球测试设备头部公司在中国大陆地区的销售占比,大致可以得到国内行业规模在全球占比在 2030.IC 设计公司对于非通用型测试设备具有。

22、预计20212025年中国光伏年化平均装机量为78.8GW.根据国家能源局数据,截至2019年底,中国非化石能源占一次能源消费比重达15.3,提前完成2020年减排目标.根据2030年非化石能源占一次能源消费比重将达到25,我们预计2025。

23、公司研发的立式炉管设备主要由晶圆传输模块,工艺腔体模块,气体分配模块,温度控制模块,尾气处理模块以及软件控制模块所构成,针对不同的应用和工艺需求进行设计制造,首先集中在 LPCVD 设备,再向氧化炉和扩散炉发展,最后逐步进入到 ALD设备应。