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采用 14 nm FinFET 技术自动布局生成框架生成的 500 MS丨s 8 位 SAR ADC.pdf

上传人: 芦苇 编号:651858 2025-05-01 10页 1.14MB

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本文介绍了一种基于自动布局生成框架的500-MS/s 8-bit SAR ADC,该ADC是在14-nm FinFET技术中通过自动化布局生成的。文章首先提出了自动布局生成的必要性,由于先进技术节点的设计复杂性增加,设计规则和签核流程变得更加复杂,需要大量的人力和时间资源,以及高昂的定制布局设计成本。因此,自动化布局生成变得至关重要。 文章采用的自动化布局生成框架是LAYGO2,这是一个基于网格的对象布局生成框架。SAR ADC的构建模块包括CDAC、比较器、跟踪和保持以及切换逻辑。文章详细介绍了这些模块的布局生成方法,包括CDAC和比较器的软件定义模板,以及基于网格的布局和布线,还有用于手动结构的封装模板,以实现与手工布局相同的有效面积。 测量结果显示,该生成的SAR ADC在14-nm FinFET上占用了4,131 um2的面积,能够以500 MS/s的采样速度提供8-bit的分辨率。作者得出结论,自动化布局生成对于解决定制设计中不断增加的复杂性是必不可少的,这种方法在先进技术节点上生成了SAR ADC的布局,并通过基于网格的布局和布线以及每个构建块的定制化模板,为提高设计效率奠定了基础。
"14nm FinFET技术中的SAR ADC设计挑战有哪些?" "如何通过自动化布局生成框架提高定制设计效率?" "在先进技术节点中,自动化布局生成对于降低设计成本有何作用?"
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