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SiC需求分析

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1、疫情的发展对手机的销售与生产均产生了一定的影响,在当前背景下,全年单机摄像头数量的增长是否仍可弥补手机销量的下滑,则成为一个难以直接回答的问题,针对这一问题,我们统计2018年以来上市的手机及其配置情况,以及不同时间上市的机型在同一时期销售。

2、镓砷化镓半导体第三代碳化硅碳化硅,氮化镓氮化镓半导体与与基底器件功耗对比基底器件功耗对比与与基底器件效率对比基底器件效率对比,等,中信证券研究部,碳化硅工艺流程碳化硅工艺流程碳化硅粉末碳化硅粉末碳化硅晶片碳化硅晶片碳化硅器件碳化硅器件,杨玺。

3、汽车与零配件海通综指资料来源,海通证券研究所相关研究相关研究,年月全球新能源汽车市场总结,整体市场下滑,欧洲表现突出,全球新能源及无人驾驶行业跟踪周报,通用发布全新电池技术,更新传感器套件,年月汽车数据解读及投资展望,春节假期提前,部分需求。

4、研究支持施佳瑜联系人施佳瑜,转本期投资提示,在中性假设测算的情况下,年基建投资资金规模将达到,万亿元,同比增长,从基建投资资金来源角度看,年自筹资金及国内贷款同比增幅较大,自筹资金中主要增量来自万亿的抗疫特别国债以及,万亿地方政府专项债,据。

5、率半导体上,因此IDM模式能够确保产品良率,控制成本,国内外差距没有一,二代半导体明显,先发优势是半导体行业的特点,Cree高市占率也印证了先发优势的重要性,相较亍Si,国产厂商对SiC研究起步时间不国外厂商相差丌多,因此国产厂商有希望追上。

6、基于SIC材料的功率器件相比传统的Si基功率器件效率高,损耗小,在新能源车,光伏风电,不间断电源,家电工控等有广阔的应用前景,目前SICSIC行业发展的瓶颈行业发展的瓶颈主要主要在于在于SICSIC衬底成本高衬底成本高,是Si的4,5倍,预。

7、切入军品助力强者更强,1业务拆分,铸造高温合金发展迅猛,军品收入逐年提升,2财务分析,盈利能力持续提升,期间费用控制得当,5军机进入加速列装期,行业高景气有望持续军机进入加速列装期,行业高景气有望持续,7高温合金,军民两用尖端材料,航空领域。

8、带来更小尺寸的产品设计和更高的效率,2,耐高频特性,SiC器件在关断过程中不存在电流拖尾现象,能有效提高元件的开关速度,大约是Si的3,10倍,适用于更高频率和更快的开关速度,3,耐高温特性,SiC相较硅拥有更高的热导率,能在更高温度下工作。

9、其中5个正在进行期临床试验,除刚刚获批的国药中生北京公司的新冠病毒灭活疫苗之外,还有一批处在临床前阶段的药品正在加速推进,国际疫苗来看,2020年12月,美国食品药品监督管理局,FDA,批准由美国制药公司辉瑞,Pfizer,和德国BioNT。

10、2023年全球锂电池设备市场规模分别为545亿元,765亿元和912亿元,合计为2222亿元,4,4中国锂电设备企业具备打造整线解决方案的能力日韩等国锂电设备行业起步较早,国内企业进步较快,1990年日本皆藤公司成功研发出第一台方形锂电池卷。

11、得优先的产品迭代机会,在应用市场,将取代,市场渗透率大,应用于基站,卫星等大功率射频,为低功率小型化器件,各有优势,各有市场,高频,高温,高压性能优于硅,能量密度高,芯片尺寸可小,同样功率面积可减少,低导通损耗,功率转换效率高,系统能耗降低。

12、在GaAs晶圆制造环节,台系代工厂稳懋一家独大,占据了GaAs晶圆代工市场的71,份额,其次为台湾地区的宏捷,9,与美国的GCS,8,从竞争格局来看,GaAs器件市场参与者较多,多为美国,日本与台系厂商,其中美国厂商占据前三地位,Skywo。

13、传播影响,社交付费多重因素影响,音频付费独立性强偏静态产品,如文学小说,资讯和电商会员,付费用户受品牌口碑传播影响较大,而偏动态产品,如直播,视频,游戏,动漫,付费用户受别人推荐影响较大,社交产品付费用户受双重因素影响,而音频娱乐付费用户习。

14、整车续航里程的提升也有着紧密的联系,第三代半导体材料在提高能效,电源系统小型化,提高耐压等方面的性能已经达到了硅器件无法企及的高度,小鹏汽车动力总成中心IPU硬件高级专家陈宏表示,相比硅基功率半导体,第三代半导体碳化硅MOSFET具有耐高温。

15、起到了明显的带动作用,国内企业在碳化硅衬底领域市场占有率快速增长,根据山东天岳招股书,半绝缘型碳化硅衬底市场,山东天岳在中国市场处于领先位置,根据Yole数据,2019,2020年,在半绝缘型碳化硅衬底领域,天岳先进公司按销售额统计的市场份。

16、层生长,器件制造以及下游应用,衬底属于碳化硅产业链上游,制备工艺复杂,生长速度慢,产出良率低,是碳化硅产业链亟待突破的最核心部分,也是国内外厂商重点发力的环节,根据CASA,产业链价值量集中于衬底环节,目前价值量占整个产业链50,左右,与硅。

17、而新能源车充电通常需要分钟,提升电压平台可提升整车运行效率及充电速度,以保时捷为例,保时捷将电压平台从提高至后,实现充电功率,可以在,分钟内把容量,的动力电池从,充至,提供公里的续航能力,高压线束的截面积仅为架构下的二分之一,线束减重,吉利。

18、域高景气度推动公司半绝缘型衬底高速衬底高速成长成长,新能源汽车新能源汽车渗透渗透率提升,率提升,光伏光伏装机装机建设建设加速,加速,公司导电型衬底公司导电型衬底产能产能加速扩张加速扩张满足市场需求满足市场需求,国内半绝缘型碳化硅衬底龙头,国。

19、主营产品为4英寸半绝缘型碳化硅衬底,正在募投进行6英寸导电型碳化硅衬底建设,公司营收由2018年的1,36亿元增长至2020年的4,25亿元,年复合增长率达76,8,主要受益于碳化硅基射频器件需求增长,天岳先进股权结构稳定,实控人为董事长宗。

20、必行,92,1碳化硅性能卓越,优势明显,92,2射频器件需求增长拉动半绝缘型衬底市场扩张,102,3导电型碳化硅衬底市场规模快速增长,功率器件应用广泛,122,4高技术壁垒带来高集中度,国产化空间广阔,163深入布局碳化硅衬底,奋力成为行业。

21、化硅更是申驱系统向高申压升级癿核,芯,解决申劢汽车里程焦虑和充申速度慢两大核心痛点,众多车企对800V申压平台癿持续布尿再次拉升了碳化硅器件癿需求,2030年碳化硅市场规模将超300亿美元,2021到2030年复合增速预计高达50,6,全球。

22、4碳化硅行业投资逡辑总览资料来源,斱正证券研究所国家政策利好SiC材料优势前景光明下游需求枀大上游供给短缺材料为王目前SiC产量供丌应求高重要性核心中癿核心企业扩产布局高成长性投资聚焦碳化硅行业SiC衬底制造难度大,成本高行业处于产能铺设5。

23、92,SiC衬底,新能源车带来百亿级市场空间,国衬底,新能源车带来百亿级市场空间,国产替代可期产替代可期,112,1,市场空间,新能源车带来百亿级市场空间,光伏逆变器应用前景可期,112,2,竞争格局,国内外差距逐步缩小,国产替代可期,15。

24、5新能源打开软磁需求空间,17新型电力系统建设徐徐开展,提升非晶软磁材料需求,17光伏发展进入快车道,金属软磁粉芯需求提速,19储能在,双碳,政策推动下发展加速,金属软磁粉芯受益,22新能源汽车及充电桩快速发展带动金属软磁粉芯等软磁材料需求。

25、半导体面临摩尔定律失效,碳化硅作为第三代半导体材料,具有更宽的禁带宽度,更高的击穿电场,更高的热导率等性能优势,在高温,高压,高频领域表现较为优异,有望成为未来技术突破的主要方向,另一方面,碳化硅器件以衬底为核心,在晶圆制造中成本占比约55。

26、联系人廖健雄廖健雄,行业行业走势图走势图资料来源,华泰研究重点推荐重点推荐股票名称股票名称股票代码股票代码目标价目标价,当地币种当地币种,投资评级投资评级闻泰科技,买入华润微,买入斯达半导,买入北方华创,买入华峰测控,买入资料来源,华泰研究。

27、国内厂商存广阔替代空间市场处于高速成长阶段,国内厂商存广阔替代空间,11乘碳中和之东风,2025年市场规模有望较2020年翻5倍,11海外厂商普遍看好SiC市场空间,相关业务业绩展望乐观,12竞争格局,衬底及外延市场集中度高,器件领域海外厂。

28、件市场规模将由年,亿美元增长至年,亿美元,达,至年汽车领域市场规模将达到近亿美元,市场份额占比约,除汽车外,碳化硅器件在工业和能源应用领域也将迎来,以上增速,年市场规模分别达到,亿美元和,亿美元,据第三代半导体风向,三安光电预计年寸碳化硅晶。

29、产化提供便利条件,便利条件,近年来光伏逆变器市场格局发生巨大变化,国内逆变器厂商从追随者转变为领军者,根据伍德麦肯兹数据,2020年在全球逆变器出货排名前十中,有六家来自中国的供应商,分别是华为,阳光电源,古瑞瓦特,锦浪科技,上能电气和固德。

30、资料来源,聚源相关研究相关研究年电子行业投资策略,渗透率持续提升,半导体供应链安全大势所趋,行业深度,通讯消费电子汽车齐发力,替代传统线束前景可期,半导体设备行业深度,新一轮景气周期,大国重器替代正当时,年电子行业中期策略,引领新成长,国产。

31、报告导读报告导读以为代表的第三代半导体正凭借着其击穿电场高,热导率高,电子饱和速率高,抗辐射能力强等优势在新能源汽车,等战略新兴领域大展拳脚,从产业链来看,衬底是产业渗透率提升爆发的核心赛道,天岳先进作为国内半绝缘型衬底龙头,有望将成功经验。

32、1070063S0880121060057本报告导读,本报告导读,2022年疫情再袭,我们对各细分板块进行年疫情再袭,我们对各细分板块进行2020复盘与需求分析复盘与需求分析,其中厨小电依旧最,其中厨小电依旧最具需求弹性,白电中冰箱刚需稳定。

33、长周期,新能源车驱动,化合物半导体迎成长周期,化合物半导体适用于高压,高频,高功率领域,射频,光电子需求旺盛,国产替代刺激加速发展,射频和光电子领域需求旺盛,有望迎来高速增长,产业链各环节均以海外厂商为主,代工为国产化闭环必争环节,产能释放。

34、网等行业有长期深厚积淀,公司通过收购积淀,公司通过收购Dyne,掌握掌握IGBT技术实力,技术实力,自高压领域向中低压延伸,自高压领域向中低压延伸,积极发展以积极发展以IGBT为基础的新兴装备业务,同时产能充足,为基础的新兴装备业务,同时产。

35、研究报告,首次覆盖,全球衬底龙头发力车用功率器件,首次覆盖优于大市首次覆盖优于大市评级优于大市现价,目标价,市值,日交易额,个月均值,发行股票数目,自由流通股,年股价最高最低值,注,现价,为年月日收盘价资料来源,绝对值,绝对值,美元,相对。

36、在2020年已成为中国IGBT第一大应用领域,占比约30,全球主要功率半导体供应商陆续宣布涨价,毛利率得到显著的提升,2021年行业经历的缺货行情仍在延续,头部供应商明显感受到供不应求的产能紧张状况,高功率IGBT价值凸显,大功率新能源车所。

37、mmary投资要点,投资要点,SiC具有优秀的材料特性具有优秀的材料特性,碳化硅,SiC,是一种化合物半导体材料,被称为第三代半导体材料,由于SiC具有宽禁带宽度,从而导致其有高击穿电场强度,低本征载流子浓度,使得SiC功率器件具有耐高压。

38、本,百万股,股总市值,百万元,流通股市值,百万元,每股净资产,元,资产负债率,一年内最高最低,元,作者作者潘暕潘暕分析师执业证书编号,俞文静俞文静分析师执业证书编号,资料来源,聚源数据相关报告相关报告股价股价走势走势国内稀缺国内稀缺陶瓷衬板。

39、026年碳化硅器件市场规模有望成长至89亿美元,当前SiC功率器件价格较高,是硅基IGBT的35倍左右,但凭借优异的系统节能特性,SiC器件开始在新能源汽车,光伏,储能等领域替代硅基器件,SiC引领行业变革,新需求快速涌现,新能源汽车是碳化。

40、半导体材料发展至今已经历了三个阶段,其中,以SiC为代表的第三代半导体,具备耐高压,耐高温和低能量损耗等优越性能,可以满足电力电子技术对高温,高功率,高压,高频及抗辐射等恶劣工作条件的新要求,有望成为半导体材料领域最具前景的材料之一,碳化硅。

41、片皇冠,国产替代空间广阔,贸易战没有赢家,自主发展是正道,半导体国产化政策扶持正当时,全产业链拆解,新能源行业下一代浪潮之基核心观点需求端,需求端,年年功率器件市场规模可达功率器件市场规模可达,亿美元,亿美元,因物理特性上较更有优势,做成器。

42、间,元,总市值,百万元,总股本,百万股,股,百万股,股股,百万股,日均成交量,百万股,历史收益率曲线,涨跌幅,绝对收益,相对收益,相关报告东尼电子,碳化硅业务取得重大突破,未来成长可期,正确认识大陆半导体各环节差距,逐个击破,证券分析师,李。

43、客车需求企稳卡车需求触底回升,客车需求企稳核心观点核心观点周期复盘,周期复盘,政策加剧政策加剧需求波动需求波动,商用车作为生产资料,其销量受宏观经济景气度与政策影响较为显著,我们复盘历史,主要结论如下,1,2008,2010年的四万亿投资刺。

44、布局围绕第三代半导体展开,主要包括半导体材料,功率器件和射频器件,公产品布局围绕第三代半导体展开,主要包括半导体材料,功率器件和射频器件,公司前身是集司前身是集LEDLED,照明和化合物半导体业务为一身的著名制造商,照明和化合物半导体业务为。

45、碳化硅器件行业国内外技术差距碳化硅器件扩大应用技术难点碳化硅器件行业降低成本技术路径19202127第三章产业链上游衬底衬底定义与分类全球碳化硅衬底市场规模国内外衬底差距衬底竞争格局衬底发展趋势中国衬底产能布局和规划282930313233。

46、研究员余熠余熠,研究员刘溢刘溢,联系人张宇张宇,联系人廖健雄廖健雄,联系人郭春杏郭春杏,行业行业走势图走势图资料来源,华泰研究重点推荐重点推荐股票名称股票名称股票代码股票代码目标价目标价,当地币种当地币种,投资评级投资评级北方华创,买入联创。

47、0090003SiC器件性能优势显著,下游应用环节器件性能优势显著,下游应用环节广阔,在高功率应用上替代硅基产品具广阔,在高功率应用上替代硅基产品具有强确定性,有强确定性,预计预计未来几年行业将保持高增速,未来几年行业将保持高增速,当前时间。

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