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DPC陶瓷基板制备工艺

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5、能的单晶硅锭。
单晶硅的制备方法通常有直拉法(CZ)和区熔法(FZ),直拉法硅片主要用在逻辑、存储芯片中,市占率约 95%,区熔法硅片主要用在部分功率芯片中,市占率约 4%。
熔体的温度、提拉速度和籽晶/石英坩埚的旋转速度决定了单晶硅锭的尺寸和晶体质量,掺杂的硼(P)、磷(B)等杂质元素浓度决定了单晶硅锭的电特性。
单晶硅锭制备好后,再经过切段、滚磨、切片、倒角、抛光、激光刻、包装后,便成为硅片。
根据纯度不同,分为半导体硅片和光伏硅片,半导体硅片要求硅含量为 9N(99.9999999%)-11N(99.999999999%),而光伏用硅片一般在 4N-6N之间即可,下游应用主要包括消费电子、通信、汽车、航空航天、医疗、太阳能等领域。

6、特别是,该产品采用活性金属焊接工艺将多层无氧铜与氮化硅陶瓷键合,同时采用铜柱焊接实现垂直互联,对 IGBT 模块小型化、高可靠性等要求有较好的促进作用。

7、价比,其数据传输速率高,量产成本低,常见于 5G 通信光纤网络终端;而氮化铝陶瓷基板具有热导率高、热膨胀系数低、机械强度高,介质损耗低等特点,应用于 LED 等高功率电子领域。

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