报告合集目录 |
报告预览 |
|
请点击导航文件预览
|
5G时代,GaN RF芯片替代硅和砷化镕芯片,成为基站和射频前端的主要RF主流,是技术革命性的投资机会GaN RF具有大功率、高频率、高耐压、带宽大先天优势,是5G时代的绝配,存在着大量的掘金机会;国外射频芯片巨头占据先发优势,利用技术积累,开发出针对5G的氮化铄射频前端方案和GaN RF器件;技术领先型企业因先发优势将获得超额利润,并获得优先的产品迭代机会;在5G应用市场,GaN on Si将取代Si LDMOs,市场渗透率大;GaN on SiC应用于基站,卫星等大功率射频,GaN on Si为低功率小型化器件,各有优势,各有市场
0731-84720580
商务合作:really158d
友链申请 (QQ):1737380874
微信扫码登录
更新时间:2026-01-29
打包下载