当前位置:首页 > 报告详情

无线机器人的未来:面向移动性、人工智能和机器视觉的GaN供电解决方案.pdf

上传人: 哆哆 编号:630930 2025-04-19 17页 3.11MB

1、1epc-EPC POWER CONVERSION TECHNOLOGY LEADERGaN and the Future of Untethered RobotsAlex LidowCEO EPCAugust 20242epc-EPC POWER CONVERSION TECHNOLOGY LEADER3epc-EPC POWER CONVERSION TECHNOLOGY LEADERGaN Benefits in BLDC Motor DrivesGaN FET/ICs switch fast with QRR=0 Higher switching frequencyElectrolyt

2、ic capacitor elimination.Reduced motor losses Higher torque per AmpereImproves inverter&motor system efficiencyReduces size&weight by integrating the inverter inside the motorLower dead time4epc-EPC POWER CONVERSION TECHNOLOGY LEADERHigher Efficiency,Smaller Size,Lower CostSetupMOSFET Inverter20 kHz

3、,500 ns dead time400 RPM,5 ARMSGaN Inverter100 kHz,21 ns dead time400 RPM,5 ARMSInput Inductance2.7 HNoneInput capacitor660 F electrolytic44 F ceramicPIN121.3 W113.3 WPOUT119.6 W111.3 Winverter98.5%98.2%Speed42.25 rad/s41.94 rad/sTorque1.876 Nm1.940 NmPmech79.3 W81.36 Wmotor66.3%73.1%total efficienc

4、y65.3%71.8%5epc-EPC POWER CONVERSION TECHNOLOGY LEADERMonolithic GaN Power Stage6epc-EPC POWER CONVERSION TECHNOLOGY LEADERPower Stage ICsIndustrialFormatPackageSizeSamplesLaunchEPC2152HB+DR 10ACSP10mm2NowQ424EPC23102HB+DR 30AFCQFN3.5X5 mmNowQ424EPC23104HB+DR 7AFCQFN3.5X5mmNowQ424EPC23100LS FET+DRFC

5、QFN3X5 mmTBDTBD7epc-EPC POWER CONVERSION TECHNOLOGY LEADER8epc-EPC POWER CONVERSION TECHNOLOGY LEADERGaN Benefits in LidarGaN FET/ICs switch fast with very high currentHigher switching speedBetter resolutionandFaster frame rateLonger distanceand Smaller sizeImproves resolution,visible distance,frame

6、 rate,and sizeHigh Current9epc-EPC POWER CONVERSION TECHNOLOGY LEADEReGaNFET Plus DriverQLGateLCSI10epc-EPC POWER CONVERSION TECHNOLOGY LEADERLiDAR ICsIndustrialDescriptionPackageSize(mm)SamplesMPEPC2160140V 10A 1 chWLCSP1X1.5NowNowEPC2160340V 10A 1ch LVDSWLCS

word格式文档无特别注明外均可编辑修改,预览文件经过压缩,下载原文更清晰!
三个皮匠报告文库所有资源均是客户上传分享,仅供网友学习交流,未经上传用户书面授权,请勿作商用。
GaN(氮化镓)技术在未来的 untethered(无线)机器人领域具有巨大潜力。GaN FET/ICs 具有快速开关性能,可实现更高的开关频率,从而提高电机驱动效率,减少电容器的使用,降低电机损失,实现更高的转矩每安培,提升整体系统效率。与传统的 MOSFET 逆变器相比,GaN 逆变器在提高效率、减小体积和降低成本方面具有明显优势。实验数据显示,GaN 逆变器在开关频率、死时间、效率等方面均优于 MOSFET 逆变器。此外,GaN 技术在激光雷达、高密度直流-直流转换等领域也具有显著优势。例如,GaN FET/ICs 在高电流下的开关速度更快,分辨率更高,帧率更快,探测距离更远,从而提升整体性能。GaN 技术在工业应用中具有广泛的应用前景,如机器人、电动汽车、数据中心等领域。
"GaN技术如何提升机器人性能?" "GaN FET/ICs在激光雷达应用中的优势是什么?" "GaN FET/ICs在高密度直流-直流转换中的作用是什么?"
客服
商务合作
小程序
服务号
折叠