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利用微转移印刷技术实现硅光子学的异质集成 - Emiel Dieussaert(根特大学比利时).pdf

上传人: 拾亿 编号:751758 2025-07-29 21页 2.03MB

1、CONFIDENTIALMicro-transfer printing for Silicon PhotonicsEmiel Dieussaert PhD,prof.Gunther Roelkens,prof.Bart Kuyken-Photonics Research Group imec Silicon Photonics TechnologyiSiPP200(N)56-128Gbps GeSi Electro-Absorption Modulator56Gbps NRZ128Gb/s PAM-4100Gb/s NRZ56-128Gbps Ge Photodetector50Gbps NR

2、Z128Gbps PAM-4106Gbps PAM-456Gbps NRZ56-106Gbps Silicon Mach-Zehnder Modulator56-160GbpsSilicon Ring Modulator56Gbps NRZ160Gbps PAM-4Y.Tong et al.,PTL 2020High-NA(2dB)&SMF Edge Couplers(3dB)SMF Grating Coupler(2dB)Efficient Thermo-Optic Phase Tuners UCUT Arealight2Silicon WDM filtersSiN Edge Coupler

3、9um MFD(3dB)100Gb/s NRZLow Thermo-Optic Power ConsumptionUCUTUndercutLPCVD SiN WG840nm x 400nmLPCVD SiN EC130nm x 400nm450nm220nmSiSiO2-1.84(0.1)dB/cm-25-30-40-50-60spiral length cm05101520Transmission dB-35-45-5510 mmHigh-density Si Waveguides(0.5-2dB/cm)Integrated LPCVD/PECVD SiN Waveguides Fully

4、Integrated Silicon Photonics Platform for 1310nm/1550nm WavelengthsLow-loss Passive Silicon Waveguide Devices and Fiber Coupling Structures56Gb/s+(Ge)Si Modulators and Ge(Si)Photodetectors2Wafer cross section*Thermo-Optic Phase ShifterFiber Grating CouplerGePhoto-detectorSiliconCarrier-basedPhase Sh

5、ifterFiber Edge CouplerSi SubstrateSiNSiO2CuGePoly-SiWSi p-n diodeair gap(undercut)SiCan be used for applications from the visible to the SWIR(0.5-2.5um)combining Si,SiN and Ge3*Alternative platforms also under development,for which the micro-transfer printing technology can also be leveraged The ne

6、ed for heterogenous integrationMissing building blocks for fully integrated photonic systems-on-chipGain elements and lasers GaN,GaAs,InP,GaSb,Ti:SapphElectro-optic modulators PZT,BTO,2D materials InP,Single photon sources&detectors InAs/GaAs QDs,cQDs,NbTiNElectronics,optical isolators and circulato

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本文主要介绍了微转移印刷技术在硅光子学领域的应用,实现了异质集成,以下是关键点: 1. 微转移印刷技术可用于集成多种高速光电子器件,如56-128Gbps的GeSi电吸收调制器、56Gbps的硅光电探测器等。 2. 技术优势包括高吞吐量、高精度(±0.5um 3𝝈)和有效的耦合,适用于多种波长范围(1310nm/1550nm)。 3. 通过微转移印刷,异质集成不同类型的芯片(如III-V放大器、LN调制器、Ce:YIG光隔离器)成为可能,有助于开发新型材料和器件。 4. 核心数据:实现了45秒/reticle的高吞吐量,以及低损耗被动硅波导器件和光纤耦合结构。 5. 该技术为量子应用(如单光子源和超导探测器集成)和超窄线宽激光器等未来应用提供了可能性。 总结:微转移印刷技术在硅光子学领域实现了高速、高精度、异质集成,为开发新型光电子器件和未来应用提供了有力支持。
"硅光子学微转移有何优势?" "量子应用中如何集成单光子源?" "微转移打印技术如何革新电路?"
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