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1、 1/24 2025 年年 7 月月 14 日日 行业行业|深度深度|研究报告研究报告 行业研究报告 慧博智能投研 光刻机光刻机行业行业深度：深度：核心技术核心技术、竞争格局竞争格局、国国产替代产替代及及相关公司深度梳理相关公司深度梳理 光刻机是芯片制程核心设备。光刻工艺是对光刻胶进行曝光和显影形成三维光刻胶图形的过程，直接决定了集成电路制造的微细化水平。全球晶圆厂设备开支保持强劲，光刻机需求持续提升。目前 ASML、Nikon 和 Canon 长期占据主要市场，ASML 龙头地位稳固，光刻机国产化需求迫切。我国光刻技术与全球先进水平存在较大差距，大基金三期将重点扶持本土企业和关键技术瓶颈领域

2、的项目，国内光刻机相关公司有望受益。围绕光刻机行业，下面我们从光刻机相关原理、核心技术与部件、发展现状、驱动因素、国产替代相关情况及相关公司等方面进行深度梳理，希望帮助大家更多了解光刻机。目录目录 一、光刻机概述.1 二、光刻机核心技术及市场空间.5 三、光刻机市场格局分析.8 四、光刻机发展现状及驱动因素.11 五、光刻机国产替代势在必行.15 六、国内相关公司.20 七、参考研报.24 一、光刻机概述一、光刻机概述 1.光刻机光刻机 光刻机是半导体设备中市场占比最大的品类。根据 SEMI 及中商产业研究院数据显示，2024 年全球半导体设备销售额为 1090 亿美元，从细分产品来看，光刻机

3、、刻蚀机、薄膜沉积设备为半导体设备主要核心设备，市场占比均在 20%以上。其中，光刻机为市场占比最高品类，光刻机的占比达 24%，并且随芯片制程迭代，这一占比还在持续提高。2/24 2025 年年 7 月月 14 日日 行业行业|深度深度|研究报告研究报告 “半导体光刻机”被称为“史上最精密机器”之一，光刻机是半导体制造中最为关键的设备之一，其技术水平直接决定了芯片制造的精细化程度。2.光刻波长光刻波长 在半导体制造领域，光刻机是延续摩尔定律的核心装备。摩尔定律的维系依赖光刻技术分辨率提升，而缩短光源波长是关键路径。半导体行业的光刻波长发展历经多个阶段：半导体行业的光刻波长发展历经多个阶段：早

4、期使用汞灯的 365nm，20 世纪 90 年代后期升级为氪-氟激光器的 248nm，本世纪初引入氩-氟激光器的 193nm。当 193nm 波长接近物理极限时，浸没式光刻yXMBuZiW9UpOmObRaOaQoMnNnPsPlOnNsNkPpOrMaQrRzQMYnOnRuOmMpO 3/24 2025 年年 7 月月 14 日日 行业行业|深度深度|研究报告研究报告 技术通过在透镜与晶圆间注入水将数值孔径从 0.93 提升至 1.35，使 193nm 光刻成为 2006 年后的主流技术。随着芯片集成度和性能要求持续提高，传统光刻技术再次逼近物理极限。13.5nm 极紫外光刻技术成为破局关

5、键ASML 研发的 EUV 光刻技术已经能支持 7nm 甚至更先进工艺，被视为延续摩尔定律的核心突破，正推动半导体产业向下一代技术迈进。3.光刻机迭代光刻机迭代 光刻机经历五次迭代：根据所使用的光源的方案，光刻机经历了 5 代产品的迭代，每次光源的改进都显著提升了光刻机所能实现的最小工艺节点。光刻技术的进步使得器件的特征尺寸不断减小，芯片的集成度和性能不断提高。在摩尔定律的引领下，光学光刻技术经历了接触/接近、等倍投影、缩小步进投影、步进扫描投影等曝光方式的变革。曝光光源的波长由 436 纳米（g 线），365 纳米(i 线)，发展到 248 纳米(KrF)，再到 193 纳米(ArF)。技术

6、节点从 1978 年的 1.5 微米、1 微米、0.5 微米、90 纳米、45 纳米，一直到目前持续推进。4/24 2025 年年 7 月月 14 日日 行业行业|深度深度|研究报告研究报告 4.光刻工艺原理光刻工艺原理 光刻工艺直接决定集成电路制造的细微化水平。光刻工艺是对光刻胶进行曝光和显影，形成三维光刻胶图形的过程，光刻胶图形为所有后续图形转移工艺提供了基础，直接决定集成电路制造的微细化水平。光刻工艺的核心是对准和曝光，实现设备是光刻机。光刻工艺的原理和作用是，利用特定波长的光照射带有电路图形的掩膜/光罩，利用光刻胶的光敏特性，将设计好的电路图形转移至晶圆上。光刻工艺用到的黄光区制造设备