通信行业专题报告：光芯片产业梳理-260630（23页）.pdf

1、证券研究报告|行业专题|通信 http:/ 1/23 请务必阅读正文之后的免责条款部分 、通信 报告日期：2026 年 06 月 30 日 光芯片产业光芯片产业梳理梳理 行业行业专题专题报告报告 投资要点投资要点 高端有源芯片高端有源芯片 IDM 模式构成重要价值壁垒模式构成重要价值壁垒 高速 EML、CW 光源等有源芯片需在 InP 衬底上完成纳米级外延与光栅刻蚀，工艺高度耦合且迭代周期短，IDM 模式能够整合设计、制造、封测全链条，有助于保障良率与响应速度。全球高端产能集中于海外，国内掌握 IDM 全流程的领先企业，在 800G/1.6T 需求扩张阶段具备较强利润弹性。InP 衬底与外延的

2、国产替代正填补供应链短板衬底与外延的国产替代正填补供应链短板 InP 衬底是高速有源芯片的关键基底，全球产能集中于少数海外厂商且供需缺口较大，已成为产业扩张的突出瓶颈。国内云南锗业、北京通美已实现 6 英寸量产，九峰山实验室依托国产 MOCVD 取得 6 英寸外延工艺突破。从材料到外延的国产链条逐步打通，相关企业迎来从突破到放量的成长窗口。硅光与硅光与 TFLN 率先商用者有望抢占下一代技术先机率先商用者有望抢占下一代技术先机 随着光模块速率向 1.6T 及以上演进，传统 VCSEL 逐步让位，硅光凭借 CMOS兼容和成本优势渗透率快速提升，LightCounting 在 2026 年 6 月

3、发布的报告中指出，2026 年基于硅光的光模块销售额将首次超过整体市场的 50%；TFLN 在3.2T 以上超高速调制中性能突出，2026 年进入产业化元年。率先完成硅光芯片设计流片、TFLN 器件量产及先进封装配套的企业，有望获得先发优势。风险提示风险提示 InP 衬底供给持续短缺风险 技术路线迭代加速与产业化不及预期的双重风险。关键设备与材料“卡脖子”风险。行业评级行业评级:看好看好(维持维持)分析师：邓贺方分析师：邓贺方 执业证书号：S1230525070001 分析师：周艺轩分析师：周艺轩 执业证书号：S1230524060001 相关报告相关报告 1 光模块技术路线梳理 2026.0

4、6.12 行业专题 http:/ 2/23 请务必阅读正文之后的免责条款部分 正文目录正文目录 1 光芯片产业全景图谱光芯片产业全景图谱.5 1.1 光芯片：高速光模块的核心价值与壁垒环节.5 1.2 功能维度：有源、无源芯片的价值分层.6 1.2.1 有源光芯片：光电转换核心，价值主导.6 1.2.2 无源光芯片.8 1.3 材料体系：GaAs/InP 有源基底，硅光（SiPh）/薄膜铌酸锂（TFLN）集成调制基底.8 1.3.1 InP（磷化铟）：有源发光与高速调制的核心基底.8 1.3.2 GaAs（砷化镓）：短距 VCSEL 的主导材料平台.9 1.3.3 硅光（SiPh）：高密度集成

5、与 CMOS 兼容性的平台化底座.9 1.3.4 TFLN（薄膜铌酸锂）：面向 3.2T 及以上的下一代超高速调制平台.9 1.4 场景维度：短距/多模/长距/相干/CPO 场景的芯片适配方案.10 1.4.1 短距与多模：VCSEL 仍是性价比之王，但边界清晰.10 1.4.2 中长距：EML 与硅光+CW 共同主导，取决于距离与供给.10 1.4.3 更长距离与相干方向：InP 仍是基本盘，TFLN 打开增量空间.10 1.4.4 CPO：硅光为主平台，InP 负责光源，VCSEL 与 TFLN 分别卡位短距和高性能补位.11 2 核心技术路线与代际演进逻辑核心技术路线与代际演进逻辑.11

6、 2.1 速率代际演进：从 400G 到 3.2T 的跃迁图谱.11 2.1.1 400G 时代（2019-2022 年）：硅光首次规模化验证.11 2.1.2 800G 时代（2023-2026 年）：AI 算力集群驱动规模化放量.11 2.1.3 1.6T 时代（2025-2027 年）：多技术路线并行竞速.11 2.1.4 3.2T 时代（2027-2028 年+）：新一代材料体系的天下.11 2.2 EML 方案：成熟主力的优势护城河与供给天花板.12 2.2.1 EML 的工作原理与不可替代性.12 2.2.2 全球竞争格局：海外垄断与国产突围.12 2.2.3 供给天花板：InP