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宽禁带半导体优点

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1、分析师,吴文吉登记编号,S1220521120003刻蚀工艺双子星,大马士革极高深宽比证券研究报告半导体行业专题报告2023年5月11日投资要点刻蚀概览,刻蚀是半导体器件制造中选择性地移除沉积层特定部分的工艺,在半导体器件的整个制造过程中。

2、晶体硅的带隙约为 1.1eV，理论效率为 29.3%。
而钙钛矿具有连续可调的带隙范围，人工设计的钙钛矿材料，带隙可以非常接近于最优带隙（1.4eV），因此单层钙钛矿电池的理论效率为 33%，双层钙钛矿电池的理论可达到 43%以上。
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3、gy提到钙钛矿材料在 300800 nm 波长范围的可见光谱上，具有约 1 105cm1量级的高吸收系数，比传统单晶硅大一个数量级，因此 100 纳米厚的钙钛矿薄膜，就可以吸收硅薄膜微米厚度才能吸收的光。
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4、管雪崩耐量提升技术、沟槽底部氧化层峰值电场抑制技术、器件终端边缘电场疏导技术进行研发。
公司自2015 年起开展对 SiC 等宽禁带半导体功率器件的研发工作，并形成了一定的技术突破，目前已开发了“高耐压低损耗碳化硅二极管技术”、“碳化硅功率器件高可靠终端耐压保护技术”、“碳化硅功率器件高雪崩耐量技术”和“碳化硅二极管浪涌电流能力提升技术”等多项 SiC宽禁带半导体功率器件核心技术。
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