新能源汽车的快速发展,对半导体衬底材料提出了更高的需求,sic衬底由于耐高温、散热好等特性,是当前新能源汽车重点选择的衬底材料。本文将梳理当前全球sic衬底龙头企业。
1.美国 Wolfspeed(CREE)
业务从材料涵盖到器件制造、封装,是目前行业中少数实现SiC完整垂直产业链布局的公司。SiC衬底预计2022年产能折合6英寸达到85.2万片/年。产品包括SiC
MOS和SiC SBD;纽约的全球第一座8英寸SiC晶圆厂预计在2022年第三季度量产。
2.日本 罗姆
SiC衬底业务来自于2009年收购德国SiC衬底和外延片供应商SiCrystal,实现了SiC从材料到封装的全产业链布局。在2025年扩产SiC衬底产能至30-40万片。计划到2025年投资850亿日元,使产能提升16倍。2021年1月,罗姆新厂房竣工,可满足SiC功率元器件中长期增长需求,预计2022投产。
3.美国 II-VI
主要业务涉及光通信、光电元件、siC衬底材料等,预计到2027年将达到折合每年100万片6英寸衬底的产能,8英寸衬底2024年量产。计划5年内6英寸晶圆产能扩张5-10倍,同时扩大运用差异化的材料技术的8寸晶圆产能。还在中国福州的亚洲区总部建立了一条用于导电sic衬底的后端加工线,可进行边缘研磨抛光等。
4.日本 昭和电工
具备6英寸SiC衬底和外延生产能力,与罗姆签订了长期SiC外延合同,与英飞凌签订了长期siC材料供货合同。2021年进行公募增资,第三者配额增资筹措约1100亿日元资金,其中约700亿日元将用于扩增SiC晶圆等半导体材料产能。
5.中国 天科合达
是国内最早实现siC衬底产业化的企业,率先在国内研制出6英寸SiC衬底,以导电型SiC衬底为主。2021年6月,深圳市重投天科半导体公司(天科合达持有其25%股权)将建设碳化硅单晶和外延生产线等,总投资约22亿元。
6.中国 天岳先进
国内SiC衬底龙头,掌握涵盖了设备设计、热场设计、粉料合成、晶体生长、衬底加工等环节的核心技术,具备不同尺寸半绝缘型及导电型碳化硅衬底制备能力。计划2026年新增碳化硅衬底材料产能约30万片/年。其在上海建siC半导体材料项目,计划于2022年试生产,2026年100%达产。

延伸阅读:SiC衬底制备工艺流程
SiC衬底的制备一般采用成熟的物理气相传输法(PVT
法),流程主要包括7步,依次是:原料合成、晶体生长、晶锭加工、晶棒切割、切割片研磨、研磨片抛光和抛光片清洗,每一步流程中都需要进行相应参数、性能的检测,SiC衬底制备完成后,还需要在上面生长外延层,进而制备SiC器件(如
SiC MOSFET)以及SiC模组,最终应用到电动车、充电桩等下游应用中。

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