士兰微IGBT产品收入占比-行业数据

公司中高端产品布局成效逐步显现，推动单晶圆对应的产品 ASP 逐步提升。2017 年之前，公司只有 5&6 寸产线，产品结构相对低端；随着 2017 年 8 寸产线以及 2020 年 12寸产线投产，公司基于更高端的产线积极开发中高端产品，如 SGT MOS、超结 MOS、IGBT等，有望助力同等规模的产线实现更高产值（同样是 8 寸晶圆，用于生产 DMOS 则一片晶圆的产值约 200~250 美金，用于生产 IGBT 则一片晶圆的产值约 400~500 美金）。以 8寸线为例，2017~2018 年刚投产时，由于中高端产品开发相应工艺平台需要时间，公司 8寸线初期产品结构以附加值较低的 HV VDMOS 为主，2019 年 Q3 起高压集成电路、高压超结 MOS、高密度低压沟槽栅 MOS 管、TRENCH 肖特基管、大功率 IGBT 等多个工艺平台和产品系列导入量产，叠加 2020Q4 起公司跟随行业逐步调涨部分产品线售价，2021年 H1 时 8 寸线 ASP 从 2018 年的 1175 元提升至 1681 元。展望未来，随着更高附加值新产品逐步开发成功，投入量产后将会进一步优化产品结构，如公司已开发成功 V 代 IGBT芯片和 FRD 芯片，用上述芯片生产的电动汽车主电机驱动模块，已通过部分客户测试并开始小批量供货。