1、证券研究报告:电子|公司点评报告市场有风险,投资需谨慎请务必阅读正文之后的免责条款部分股股票票投投资资评评级级买买入入|维维持持个个股股表表现现2024-122025-022025-052025-072025-092025-12-26%-18%-10%-2%6%14%22%30%38%46%艾森股份电子资料来源:聚源,中邮证券研究所公公司司基基本本情情况况最最新新收收盘盘价价(元元)56.19总总股股本本/流流通通股股本本(亿亿股股)0.88/0.56总总市市值值/流流通通市市值值(亿亿元元)50/3252 周周内内最最高高/最最低低价价60.73/32.27资资产产负负债债率率(%)21.4
2、%市市盈盈率率147.87第第一一大大股股东东张兵研研究究所所分析师:吴文吉SAC 登记编号:S1340523050004Email:分析师:翟一梦SAC 登记编号:S1340525040003Email:艾艾森森股股份份(6 68 88 87 72 20 0)先先进进制制程程占占比比提提升升,存存储储领领域域积积极极推推进进l投投资资要要点点电电镀镀液液及及配配套套试试剂剂:2 28 8n nm m 及及 5 5n nm m-1 14 4n nm m 先先进进制制程程核核心心材材料料量量产产供供应应。公司在半导体电镀液及配套试剂领域成果显著,28nm 及5nm-14nm 先进制程核心材料已实
3、现稳定量产供应,凭借优异性能获得全球头部晶圆厂的一致认可。其中,28nm 工艺节点大马士革铜互连工艺镀铜添加剂是专为晶圆内部金属互连设计的高性能材料,能满足该节点对金属互连的高精度、高稳定性要求,且以高纯度控制减少杂质干扰,确保半导体器件性能与可靠性,目前已获得头部客户持续稳定的量产订单。面向 5nm-14nm 先进制程的超高纯硫酸钴基液,是芯片钴互连结构的关键材料,直接影响先进芯片的性能、良率与可靠性,公司通过优化合成工艺突破技术瓶颈,将产品金属杂质浓度精准控制在 ppb 级别,颗粒度分布、pH 稳定性等关键指标均达到国际先进水平,成功支撑最前沿的芯片制造需求,现已斩获主流晶圆厂首个国产化量
4、产订单。光光刻刻胶胶及及配配套套试试剂剂:覆覆盖盖晶晶圆圆制制造造、先先进进封封装装及及半半导导体体显显示示等等领领域域。公司构建了从原材料结构设计、树脂合成纯化到光刻胶配方开发、工艺验证的完整研发与供应链条,关键原材料自主可控,保障供应链稳定。凭借全链条技术能力,公司产品顺利通过头部客户的严苛认证并稳定批量供货,供货周期较进口产品更具优势,客户粘性强劲,其中先进封装用光刻胶作为国产唯一供应商,成功填补国内空白。目前公司多型号高端光刻胶推进有序,OLED 高感度PFAS Free 正胶与玻璃基封装用 RDL 负胶等已进入量产阶段,负性 PSPI、低温固化负性 PSPI 等处于客户验证阶段,高厚
5、膜 KrF 光刻胶处于重点研发阶段。该款 KrF 光刻胶通过优化树脂与 PAG 成分提升分辨率及深宽比,具备更强刻蚀抵抗力以保障图形精准转移,可形成稳定离子注入掩膜防止离子穿透,当前已实现 AR(深宽比)13,主要应用于 CIS isolation 及存储芯片的高深宽比结构,下一步将在头部晶圆厂启动上线测试。“电电镀镀+光光刻刻”双双工工艺艺协协同同,先先进进存存储储技技术术交交流流与与产产品品验验证证持持续续推推进进。公司在存储芯片领域的产品布局以电镀液与光刻胶为核心,覆盖关键工艺环节:电镀液产品包括 28nm 大马士革镀铜添加剂、TSV(硅通孔)高速镀铜添加剂,光刻胶产品涵盖负性光刻胶及
6、PSPI 光刻胶等产品。存储芯片领域的电镀液和光刻胶需求量随着 HBM、3D NAND 等存储技术迭代与产能扩张持续攀升。公司相关产品成熟,产品已适配国产存储芯片制造全流程,在目前国产化加速背景下,公司持续推进在国内头部存储客户的技术交流与产品验证,预计验证测试周期相对较短。存储芯片产能扩张或将拉动材料需求量,尤其在 HBM、3D NAND 等先进存储技术领域,公司凭借发布时间:2025-12-15请务必阅读正文之后的免责条款部分2“电镀+光刻”双工艺协同,有望持续受益于国产替代趋势。l投投资资建建议议我们预计公司 2025/2026/2027 年分别实现收入 6/7.9/10.3 亿元,归母