1、 请阅读最后评级说明和重要声明 1/17 行业跟踪报告|电子 证券研究报告 行业评级 推荐（维持）报告日期 2025 年 09 月 18 日 相关研究相关研究 【兴证电子】周报：英伟达推出 Rubin CPX GPU 及新增 Midplane，带动 PCB用量大增-2025.09.14【兴证电子】周报：博通提高对明年 AI营收预测，看好算力需求和端侧 AI 硬件创新浪潮-2025.09.07【兴证电子】电子 2025 年半年报总结：业绩快速增长，看好算力、端侧创新和国产化需求-2025.09.04 分析师：姚康分析师：姚康 S0190520080007 分析师：胡园园分析师：胡园园 S0190

2、525010001 长鑫长鑫存储存储 IPO 辅导，看好辅导，看好上游设备材料上游设备材料机会机会 投资要点：投资要点：2025 年 7 月 7 日，证监会官网披露，长鑫科技集团股份有限公司正式开启 IPO 辅导备案。长鑫存储成立于 2016 年，专注于 DRAM 芯片的设计、研发、生产和销售。我们认为长鑫存储作为国内 DRAM 龙头，是国内半导体产业重要稀缺标的，其未来成长性主要体现在：中长期看，在人工智能、消费电子创新、（组合）辅助驾驶、机器人等新兴应用场景的驱动下，全球 DRAM 市场规模将持续增长，预计到 2029 年将达到 8934 亿元，2024-2029 年复合年增速约 5.1%

3、。地区上看，中国 DRAM 市场需求占到全球市场的 30%以上，预计 2024-2029 年复合年增速将达 7.6%，高于全球增速。当前行业格局，三星、海力士、美光三家全球龙头合计市占率超 90%，行业集中效应显著。存储具备比较显著的大宗商品属性，遵循价格周期，依赖中国强大的终端市场，我们认为，未来长鑫存储凭借持续的产品迭代和中国大陆的成本和规模优势，将非常有望在全球 DRAM 市场中大展拳脚，实现市占率稳步提升。根据 Trendforce 数据，长鑫存储 2025 年底产能将达到 30 万片/月，同比增长近 50%。出货端，2024 年长鑫存储推出新一代 16Gb DDR5 产品，跳过 17

4、nm（D1y）节点直接采用 16nm（D1z）节点，当前也正在从 DDR4/LPDDR4 加速向 DDR5/LPDDR5 转移，根据 Counterpoint 预测，预计其年底 DDR5 份额将从年初的 1%提升至 7%，LPDDR5 份额将从 2025Q1 的 0.5%提升至年底 9%。AI 时代，内存瓶颈愈加显著，因此高带宽存储（HBM）应运而生。HBM 是一种基于堆叠技术的内存产品，其将多层 DRAM 芯片堆叠在基板芯片（Base Die）上，Base Die负责控制和通信功能，多层 DRAM Die 负责拓展容量。根据 Yole 数据，2024 年全球HBM 出货约 12Eb，预计 2

5、025 年出货将达到 22Eb，主要以 HBM3E 为主，到 2030年，产品迭代进入 HBM4E、HBM5 及以上代际，整体出货量达到 60Eb，2025-2030 年复合年增速约 22%。相比全球，目前国产 HBM 仍处于早期验证开拓阶段，我们预计随着 AI 需求持续增长，未来国产 HBM 产业也将迎来新的成长机遇，芯片制造以外的上游设备、材料产业链也将同步受益。投资建议：因此，基于长鑫存储产业地位和中长期成长性，我们看好相关上下游产业链机会，建议关注：1）国产 HBM 产业链，关注精智达、芯源微、上海新阳、华海诚科、联瑞新材；2）DRAM 端，关注受益中长期产能布局的前道设备公司：北方华

6、创、中微公司、华海清科、拓荆科技、中科飞测、芯源微、盛美上海等，以及受益新产能释放 EPS 高增速的半导体材料公司：安集科技、鼎龙股份、广钢气体、雅克科技。风险提示：终端需求不及预期风险，下游资本开支不及预期，HBM 开发和良率提升不及预期，中美科技博弈影响新产品迭代、产线扩产、供应链风险。请阅读最后评级说明和重要声明 2/17 行业跟踪报告|电子 目录目录 一、长鑫存储 IPO 辅导，DRAM 龙头全球份额提速.3 二、AI 需求爆发，关注国产 HBM 突破及产业链机会.8 三、投资建议.15 四、风险提示.15 图目录图目录 图 1、长鑫存储股权结构（截至 2025/9/13）.3 图 2