电子行业存储芯片周度跟踪：现货市场整体价格趋稳NAND产能加速切换-250911（10页）.pdf

1、 证券研究报告证券研究报告 行业研究行业研究 行业周报行业周报 电子电子 行业研究行业研究/行业周报行业周报 现货市场整体价格趋稳现货市场整体价格趋稳，NAND 产能加速切换产能加速切换 存储芯片周度跟踪存储芯片周度跟踪（2025.09.01-2025.09.05）核心观点核心观点 NAND：CFM 称称原厂原厂 NAND 产能加速切换产能加速切换。根据 DRAMexchange，上周（20250901-0905）NAND 颗粒 22 个品类现货价格环比涨跌幅区间为-5.97%至 6.14%，平均涨跌幅为-0.03%。其中 12 个料号价格持平，5 个料号价格上涨，5 个料号价格下跌。根据 C

2、FM 闪存市场报道，随着原厂 NAND 产能加速切换至新制程，旧制程产出明显缩减，尤其是 256Gb TLC NAND 供应大幅减少，推动其现货价格逐渐上扬。与此同时，新旧制程的切换下令高容量 NAND 供应较为充足，使得 1Tb QLC/TLC Flash Wafer 价格出现向下调整。DRAM：TrendForce：Q2DRAM 整体营收为整体营收为 316.3 亿美元，环比增亿美元，环比增长长 17.1%。根据 DRAMexchange，上周（20250901-0905）DRAM 18个品类现货价格环比涨跌幅区间为-2.24%至 2.76%，平均涨跌幅为0.68%。上周 13 个料号呈上

3、涨趋势，4 个料号呈下降趋势，1 个料号价格持平。根据科创板日报报道，TrendForce集邦咨询表示，2025年第二季 DRAM 产业因一般型 DRAM(Conventional DRAM)合约价上涨、出货量显著增长，加上 HBM 出货规模扩张，整体营收为 316.3亿美元，季增17.1%。平均销售单价(ASP)随着PC OEM、智能手机、CSP 业者的采购动能增温，加速 DRAM 原厂库存去化，多数产品的合约价也因此止跌翻涨。HBM：SK 海力士海力士称称预计到预计到 2030 年定制年定制 HBM 市场规模将增长到数市场规模将增长到数百亿美元百亿美元。根据 CFM 闪存市场报道，SK 海

4、力士预计到 2030 年定制 HBM 市场规模将增长到数百亿美元。由于 SK 海力士和三星、美光等竞争对手采用不同的技术构建下一代 HBM4，HBM4 产品包括客户特定的逻辑芯片或“基础芯片”，有助于管理内存。市场端市场端：渠道渠道DDR5内存条价格继续小幅上涨，存储现货市场整体价内存条价格继续小幅上涨，存储现货市场整体价格趋稳格趋稳。根据 CFM 闪存市场报道，渠道市场在 DDR5 资源供应趋紧且价格居高不下等因素影响下，上周 DDR5 内存条继续小幅上调报价；而渠道 DDR4则处于高位横盘。值得注意的是，经历超过一季度的涨价行情，渠道 DDR4和 DDR5之间的价差迅速缩小，部分同容量DD

5、R4、DDR5 UDIMM 价差已缩小至 20%以内，不过，目前渠道内存条仍以 DDR4为基本盘，DDR5应用比重有待提升。投资建议投资建议 我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的 HBM 产业链、以存储为产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。代表的半导体周期复苏主线。HBM：受益于算力芯片提振HBM需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；存储芯片：存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI 带动HBM、SRAM、DDR5 需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股

6、东芯股份份，建议关注兆易创新、兆易创新、恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利等。风险提示风险提示 中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。增持增持 (维持维持)行业：行业：电子电子 日期：日期：yxzqdatemark 分析师：分析师：陈宇哲陈宇哲 E-mail： SAC编号：编号：S1760523050001 分析师：分析师：刘奕司刘奕司 E-mail： SAC编号：编号：S1760525030002 联系人：联系人：林致林致 E-mail： SAC编号：编号：S1760123070001 近近一年一年行业行业与沪深与沪深 300 比较比较