【国元证券】存储行业报告：AI需求和制程升级，行业加速步入新一轮增长周期-250621（31页）.pdf

1、 请务必阅读正文之后的免责条款部分 1/31 行业研究|信息技术|半导体与半导体生产设备 证券研究报告 半导体与半导体生产设半导体与半导体生产设备行业研究报告备行业研究报告 2025 年 06 月 21 日 AI 需求和制程升级，行业加速步入新一轮增需求和制程升级，行业加速步入新一轮增长周期长周期 存储行业报告存储行业报告 报告要点：报告要点：1）二季度二季度 DRAM 整体价格上涨超预期。整体价格上涨超预期。价格的上涨主要来自供应链供需结构的持续优化。下游 AI 需求带动产业主要原厂技术升级加速和在利基型存储芯片上的退出。从趋势上看，三季度价格仍有望保持一定的上涨空间。2）从供应端角度，我们

2、认为从供应端角度，我们认为 25 年是年是 DRAM 行业供应结构变化的重行业供应结构变化的重要节点要节点。这体现在原厂加速退出 DDR4 产品供应，下游 AI 需求刺激带动 DDR5/LPDDR5/HBM 产品比重加速提升。由英伟达联合三大原厂推动的基于 LPDDR5x 的 SOCAMM 标准将加速行业的技术路线的革新。3）AI 的端侧应用有望加速的端侧应用有望加速 DRAM 行业增长行业增长。Dram 存储芯片成长逻辑逐步从价格驱动转向需求驱动。4）根据 25-27 年整体供需模型，Dram 存储芯片的供需结构将持续改存储芯片的供需结构将持续改善善。5）DRAM 向向 3D 化发展带动化发

3、展带动 Hybrid bonding 的技术发展。的技术发展。建议关注建议关注 存储芯片：兆易创新兆易创新 内存接口芯片：澜起科技澜起科技 存储模组：江波龙、佰维存储 测试设备：精智达 风险提示风险提示 上行风险：上行风险：DRAM 颗粒价格加速上行；下游需求出现明显回暖；国产替代进程提速 下行风险：下行风险：宏观经济下行；DRAM 价格回暖不及预期；国产厂商产能释放不及预期；其他系统性风险 推荐推荐|维持维持 过去一年市场行情 资料来源：Wind 相关研究报告 国元证券行业研究-电子行业周报：苹果扩大印度工厂iPhone 出口，首款折叠机预计明年发售2025.06.16 国元证券行业研究-电

4、子行业周报：英伟达 FY26Q1 业绩超预期，2025 迎来 AI PC 爆发2025.06.02 报告作者 分析师 彭琦 执业证书编号 S0020523120001 电话 021-51097188 邮箱 -17%1%19%37%54%6/209/1912/193/206/19半导体与半导体生产设备沪深300 请务必阅读正文之后的免责条款部分 2/31 附表：重点公司盈利预测附表：重点公司盈利预测 公司代码公司代码 公司名称公司名称 投资评级投资评级 昨收盘昨收盘（元）（元）总市值总市值（百万元）（百万元）EPS PE 2024A 2025E 2026E 2024A 2025E 2026E 6

5、88008.SH 澜起科技 买入 81.3 93071.37 1.25 1.93 2.55 65.04 42.17 31.83 603986.SH 兆易创新 增持 123.21 81818.73 1.66 2.26 2.96 74.22 54.56 41.68 688627.SH 精智达-74.85 7036.78 0.86 2.07 3.01 87.42 36.16 24.90 301308.SZ 江波龙-79.45 33301.09 1.20 1.64 2.50 66.21 48.31 31.77 688525.SH 佰维存储-63.3 29198.11 0.37 1.06 1.55 17

6、1.08 59.89 40.83 资料来源：Wind，国元证券研究所 注：股价取自 2025 年 6 月 19 日收盘价，注：精智达、江波龙和佰维存储均采用 Wind 一致预期。请务必阅读正文之后的免责条款部分 3/31 目 录 1.AI 需求和原厂产能结构调整带动 DRAM 价格上涨.6 1.1 二季度 DRAM 整体的价格上涨超预期.6 1.2 供应端：DDR4 产能加速退出，服务器需求带动技术节点升级.7 1.3 需求端：AI 的端侧应用有望加速 DRAM 行业增长.12 1.4 25-27 年供需模型分析：未来几年供需结构持续改善.19 2.DRAM 向 3D 化发展带动混合键合技术发