1、1.1 NAND 层数进化，进化步伐在放缓最早的 3D NAND 要追溯到 2007 年东芝的一次发布，而真正将 3D NAND 商业化应用的其实是三星在 2013 年的发布，从 2013 年起，3D NAND 作为最具突破性的技术开始推向市场，揭开了闪存介质容量提升的新时代。从 2D 到 3D 的变化，为闪存容量提升带来新变数，从 2D 平房到 3D 楼房的演进下，层的概念成为介质进化的新标准。也是从 3D NAND 开始，制程工艺的演进显得并不那么重要了。闪存介质层011.2 从 TLC、QLC 到 PLC 的介质进化2014 年开始，TLC NAND 开始在市场上大范围出现，所谓 TLC

2、 是指每个单元（Cell）中存储3 个 Bit，当时的主流还是 MLC（每个单元中存储 2 个 Bit），再往前看还有 SLC（每个单元中存储1 个 Bit），随着每个单元存储的数据增多，容量得到提升，作为代价的是，性能和耐久性都有所损失。RAM 内存和 NAND 存储芯片，性能和成本上的表现介于两者之间，有许多观点认为，RAM 内存与NAND 芯片之间的差距比较大，导致整体架构上的数据流动受限，而 3D XPoint 则填补了中间的空白地带。作为 3D Xpoint 的开发者，美光和英特尔都将其进行了商业化应用，在实际使用中，3D Xpoint 技术可以改善个人计算的体验，还可以用来打造高性

3、能、高容量的储存解决方案，与内存（DRAM）相比密度高出 10 倍，而成本又远低于 DRAM 内存，这意味着可以输出更高的存储容量和更快的访问速度。单一堆叠（Single stack）相当于原生垂直堆叠 1xx+，仅一道工序，有成本优势。但是制程复杂度随层数攀升不断加大，蚀刻和沉积最终可能导致裸片良品率下降，包括交叠层厚薄不均、蚀刻不彻底（打孔未到达底部）、弯曲、扭曲及线宽变化。还有其间电子垂直通过的迁移率也在随层数增加而更加不可控。而字符串堆叠（ String stack，目前主要指双层堆叠），制程复杂度相对较低，只要拥有 48 层或者 64 层技术，那么实现 96（2*48）层、128（2

4、*64）层不是梦，还降低了打孔的蚀刻深度，良品率不会受到影响，但需要两道工序，会增加 30 + 的成本。值得一提的是长江存储的Xstacking技术， 这是一种晶圆键合 （Wafer bonding） 而非堆栈方式。一片晶圆上加工负责数据 I/O 及记忆单元操作的外围电路，另一片晶圆上加工存储单元，最终通过数百万根金属 VIA( 垂直互联通道 ) 将二者键合接通电路。目前，字符串堆叠方式在市场上较为普遍。3D NAND 市场竞争是一场技术赛跑，其中，堆叠层数被视为一个制高点。最新的息称三星第六代 128 层 V-NAND 即将量产，长江存储也有 128 层的规划，英特尔有 144层的计划。目前

5、市场上有两种堆叠方式：字符串堆叠（ String stack）和 单一堆叠（Ssingle stack），各有利弊。全球1.4 3D 堆叠必争制高点机写入并且做更多超额配置（OP）来延长正常使用寿命。考虑到以上各种 NAND 裸片问题，厂商为了产能与利润的平衡要做出自己的决策，于是，便导致 SSD 容量增速放缓，下图是富国银行通过层数呈现的市场发货量随时间发生的变化。与 64/72 层 NAND 相比，64 层 3D NAND 在发布 4 个季度后占当时闪存发货量的 67%，而96 层 NAND 达到了这样的发货量需要更长的时间。100 层以上 NAND 第一次迭代同样需要更长的时间。所以说，

6、SSD 容量增速放缓。目前全球 NAND 晶圆产能主要由三星、东芝、美光、英特尔、海力士来提供，总计有 18 个工厂，每个月的产能在150万/月上下。 与之相比， 2020年全球市场对SSD NAND的需求为量20亿GB/月，其中，消费级 SSD、企业级 SSD 都呈现快速发展的趋势。1.6 中国元素闪存控制器022.1 Host-Base 还是 Device-Base 之争已经过时在 SSD 控制器技术发展的过程中，Host-Base 还是 Device-Base 之争，一度是控制器领域的焦点话题，技术核心在于是否需要本地处理器的问题，Host-Base 不需要本地处理器，主要借助主机CPU