存储行业深度报告：供需改善下NAND价格拐点趋近高端存储和端侧创新带来增量需求-250317（24页）.pdf

1、 敬请阅读末页的重要说明 证券研究报告|行业深度报告 2025 年 03 月 17 日 推荐推荐（维持）（维持）存储行业存储行业深度深度报告报告 TMT 及中小盘/电子 存储行业不同细分领域表现明显分化，高端存储器价格表现较好，消费类产品存储行业不同细分领域表现明显分化，高端存储器价格表现较好，消费类产品价格价格跌至周期底部跌至周期底部；但伴随但伴随 HBM 等高端存储器需求持续旺盛，叠加减产效应等高端存储器需求持续旺盛，叠加减产效应下下整体供需格局明显改善，整体供需格局明显改善，部分部分 NAND 产品价格产品价格拐点显现拐点显现，存储模组等厂商盈存储模组等厂商盈利能力亦有望得到修复利能力亦

2、有望得到修复。供给侧，伴随海外存储原厂供给侧，伴随海外存储原厂针对性减产和去库存针对性减产和去库存，部，部分分 NAND 等等产品产品价格拐点显现价格拐点显现。需求侧，一方面。需求侧，一方面多家云厂商多家云厂商未来资本开支未来资本开支指引指引较好，较好，HBM、eSSD 等等需求旺盛，需求旺盛，国内国内存储存储 IDM 厂商和配套供应链公司加速国厂商和配套供应链公司加速国产替代产替代；另一方面另一方面算力下沉趋势确立，嵌入算力下沉趋势确立，嵌入 AI 大模型的手机大模型的手机/PC/可穿戴等产品可穿戴等产品存储容量持续提升，边缘侧算力要求带来存算一体等创新加速存储容量持续提升，边缘侧算力要求带

3、来存算一体等创新加速。2025 年国内存年国内存储行业将持续围绕消费类产品边际复苏储行业将持续围绕消费类产品边际复苏+高端产品国产替代高端产品国产替代+端侧产品创新加速端侧产品创新加速三大主线，三大主线，建议重点关注建议重点关注国内存储国内存储模组、利基存储模组、利基存储芯片芯片及配套供应链公司机遇。及配套供应链公司机遇。存储原厂减产效应存储原厂减产效应下整体供需格局进一步改善，下整体供需格局进一步改善，NAND 等产品价格拐点等产品价格拐点趋近趋近。供需格局的不同导致存储器不同细分领域表现分化，高端产品需求和价格表现较好，但消费类产品价格持续承压，同时 NAND 价格表现明显弱于 DRAM。

4、但最近几个季度以来，存储行业发生明显积极变化，高端存储器需求持续旺盛，同时消费类、NAND 等过剩产能持续去化，整体供需格局持续边际改善，NAND 等部分产品价格拐点趋近，模组等厂商盈利能力亦有望边际修复。1）供给侧：供给侧：原厂积极减产尤其是针对 NAND 部分，2025 年针对消费类等传统产品资本支出规划相对保守；2）需求侧：）需求侧：高端产品需求旺盛，消费类产品温和复苏，AI 渗透率提升带来存储扩容增量需求；3）库存端：）库存端：需求温和复苏，原厂减产效应显现，供需格局明显改善，海外龙头厂商库存趋近健康水平；4）价格端：价格端：2 月以来 DDR5 等高端 DRAM 产品价格维持高位，利

5、基 DDR3 等价格依然有所承压，NAND Flash Wafer 价格边际改善，部分存储模组厂商预期25Q2 部分产品有望迎来价格拐点；5）销售端：）销售端：产品结构改善带来海外龙头收入持续同比复苏，中国台湾存储模组厂商 2 月收入表现较好，部分厂商表示部分客户备货意愿增强。高端存储器高端存储器景气延续景气延续，国产替代进程加速国产替代进程加速。24Q4 北美互联网云厂商资本开支同比高增长，多家厂商 2025 年资本开支指引乐观；三大存储原厂 2025 年资本开支将聚焦 HBM、eSSD 等高端存储器扩产，指引景气延续，美光将 2025年 HBM 市场规模指引从 250 亿美元提升至 300

6、 亿美元。国内厂商在高端存储器领域加速追赶，以长存长鑫为代表的厂商分别在多层 3D NAND、LPDDR5 等领域快速追赶，部分产品性能媲美海外龙头；另外近期韩媒报道，三星将在下一代 V10 NAND 产品上和长存合作，侧面印证了国产存储 IDM 技术实力。同时，在美国出口管制加剧的背景下，国内存储厂商，以及 HBM 等配套设备/材料厂商加速推动国产化进程。AI 端侧产品逐步落地，存储模组端侧产品逐步落地，存储模组+利基芯片持续扩容利基芯片持续扩容。根据 SK 海力士指引，2025 年 AI 手机和 PC 渗透率将分别增长至约 30%和 30-40%；在前期 2025年 CES 大会上，多款