镓创科技：第四代半导体材料氧化镓Ga2O3的创新与未来（26页）.pdf

1、第四代半导体材料氧化镓（Ga2O3）战略材料 开创未来【关 于 镓 创】北京镓创科技有限公司（镓创科技）Beijing Gallium Chance Technology Co.,Ltd 镓创科技专注于超宽禁带半导体氧化镓（半导体氧化镓（GaGa2 2O O3 3）单晶衬底和外延）单晶衬底和外延薄膜的研发，通过公司在设备、材料、工艺、器件设备、材料、工艺、器件四大方面的核心技术，致力于开发全球最优质氧化镓材料（衬底/外延）并为下游客户提供器件解决方案，以解决当前材料成本高、器件工艺不成熟等产业瓶颈问题，加快推动中国及全球氧化镓产业化进程。使 命：新材料新材料（超宽禁带半导体氧化镓），芯未来芯未

2、来（超高效电子器件）价值观：客户为本、创新驱动、艰苦奋斗、极致主义愿 景：成为国际一流的氧化镓半导体材料供应商及方案解决商成为国际一流的氧化镓半导体材料供应商及方案解决商政府/部门时间政策内容北京市2018年重点项目北京市科委把氧化镓列为重点项目广东省2020.10广东省培育半导体及集成电路战略性新兴产业集群行动计划（2021-2025年）重点工程化合物半导体抢占工程：大力发展氮化镓、碳化硅、氧化锌、氧化镓、氮化铝、金刚石等半导体材料制造山西省2021.04山西省“十四五”新技术规划半导体专用设备领域：开展大尺寸高纯半绝缘4H-SiC单晶设备、氧化镓半导体单晶设备技术研究宁波市2021.07宁

3、波市新材料产业集群发展规划（2021-2025）培育发展氧化镓、金刚石、氮化铝超宽禁带第四代半导体材料山东省2021.11山东省第三代半导体产业发展“十四五”规划坚持全产业链发展，提升产业竞争能级提升材料制备能力：推动氧化镓（Ga2O3）等新一代超宽禁带半导体材料的研发与产业化天津市2021.11天津市新材料产业发展“十四五”专项规划重点突破关键战略材料新一代信息技术材料：加快开发4英寸氧化镓单晶等宽禁带半导体批量生产制备工艺发改委2021年十四五规划十四五规划中把镓系宽禁带半导体列为战略性电子材料重点专项工程院2021年面向2035的新材料强国战略研究面向2035的新材料产业发展战略中集成电

4、路新材料需求中明确列出了“氧化镓单晶”。科技部2022年十四五重点研发计划“新型显示与战略性电子材料”2.17 大尺寸氧化镓半导体材料与高性能器件研究【政 策 支 持】日本：已经将氧化镓作为半导体产业“复兴的钥匙”FlosfiaE轮，NCT已完成多轮融资布局氧化镓材料及功率器件。【材 料 优 势】材料SiSiCGaNGa2O3备注市场应用禁带宽度（eV）1.13.33.44.9电子由价带激发到导带难易程度：耐高温、抗辐射功率器件（10KV高压大功率）击穿场强Ec（MV/cm）0.32.53.38材料用于功率器件耐压能力：耐高压电子迁移率（cm2/Vs）140010001200300电子移动快慢

5、程度介电常数11.89.7910保持电荷的能力Baliga值（Ec3）13408703444用于大功率开关器件的潜力：导通损耗Huang值（Ecsqrt()）17.010.212.3功率器件的功耗损耗：开关损耗与导通损耗热性能优值（kEc3）16111218528010散热能力光谱响应峰值（nm）1120375365255日盲紫外波段（UVC）光电器件（200-280nm）晶体结构立方六方六方单斜与GaN晶格匹配度更高（蓝宝石83%氧化镓97%）衬底材料（GaN-LED）Ga2O3表现出诸多独特的物理性质重要的应用前景=重大的战略价值+巨大的商业价值【晶体生长技术】【挑 战 SiC】功率性能=

6、10SiCBaliga优值 3444 而 SiC 340，导通特性好生长速度=100SiC气相法=0.1mm/h；熔融法=10mm/h衬底品质=100SiC气相法位错密度1E5；熔融法位错密度1E3加工成本=1/2SiCSiC硬度仅次于金刚石，氧化镓比Si软，加工成本低性价比高、产线成本低，培育周期短（20年15年5年）Ga2O3SiCSi器件尺寸=1/5SiC器件尺寸是碳化硅的1/3-1/5，能耗低T：75/150150/250250/300U：100V4000V10KV生长+质量+加工 Ga2O3成本=SiC：1/51/10【市 场 情 况】新能源汽车（1000万=300Die=3000元