华星光电：大尺寸MicroLED显示面板技术及其发展趋势报告（18页）.pdf

1、大尺寸MicroLED 显示面板技术及其发展趋势 深圳华星光电半导体显示技术有限公司 樊勇 2019.06.27China Star Optoelectronics Technology Co.,Ltd.CSOT-Confidential1/10MicroLED大尺寸显示发展趋势MicroLED大尺寸显示关键技术及挑战华星光电MicroLED显示开发状况China Star Optoelectronics Technology Co.,Ltd.CSOT-Confidential2/10武汉(LTPS)For mobile phone深圳(IGZO,a-Si)For TV&PID武汉:Mobil

2、e G6:T3/T4深圳:TVG8.5:T1/T2 G11:T6/T7华星光电简介China Star Optoelectronics Technology Co.,Ltd.CSOT-Confidential3/10LCD PanelUpper POLDown POLUpper substrateTFT SubstrateCFLCOLED PanelMicroLED Panel MicroLED TFT substratePOLCFOLEDUpper substrateTFT SubstrateMicroLEDLED WaferLED chipMicroLED 原基板：GaAs/Sapphir

3、eMiniLED（宽度50um以上）临时基板普通LED芯片MicroLED 定义:1.不具有原基板2.宽度尺寸1mm1mm300um200um100um50um50um20um5um传统LED芯片MiniLED芯片MicroLED芯片212110100606040402023535 LED 芯片尺寸越来越小，LED显示用PKG尺寸越做越小；MicroLED chip in PKGChina Star Optoelectronics Technology Co.,Ltd.CSOT-Confidential6/10MicroLED发展趋势之二：像素间距减小三星146“UHDP=0.8mm三星75“

4、UHDP=0.432mmLG 175“UHDAUO 12“P=0.15mm錼创&天马 7.56“P=0.22mmP=1mmSony 440“8KP=1.25mm像素间距逐渐缩小，传统采用PCB板的PM驱动难以满足需要，AM驱动成热点；AM驱动China Star Optoelectronics Technology Co.,Ltd.CSOT-Confidential7/10MicroLED大尺寸显示发展趋势MicroLED大尺寸显示关键技术及挑战华星光电MicroLED显示开发状况8/总页数总页数Micro LED驱动技术背板技术全彩色化技术大型化技术检测与修复转移Micro LED芯片技术

5、PM AMMicroLED 显示关键技术 单晶SiLTPSOxidea-Si Flip chipVertical chipRGB芯片色转换换全彩无缝拼接技术直接大型化范德华力激光转移静电力转移自组装其他PLELAOI激光修复其他9/总页数总页数China Star Optoelectronics Technology Co.,Ltd.CSOT-Confidential9TFT 背板技术比较ITEMa-siIGZO LTPS结构示意图漏电流电子迁移率/功耗制程温度均匀性成本优势技术成熟度高成本低漏电流小可满足G11世代 功耗低劣势 功耗高，漏电大稳定性较差，但可通过补偿技术改善；成本高漏电大均匀

6、性差，最大到G6世代LCD主要采用适用于MicroLED 用的TFT背板*:优，：良，：差TFT背板技术China Star Optoelectronics Technology Co.,Ltd.CSOT-Confidential10/总页数全彩方案RGB in PKG RGB chip 色转换技术色转换 1:BG+R色转换2:B+RG色转换3:UV+RGB QD示意图优缺点优点：可进行分bin 可用传统固晶缺点：增加封装成本 增加了分bin成本 光效低,功耗高 很难实现高透明显示应用优点：制程简单，适合透明应用；缺点：R芯片去衬底工艺 R芯片质脆、易裂，且发光效率低 RGB三色不同基板，增加