南昌大学：2020年LED芯片三大衬底技术专利分析报告一（8页）.pdf

1、1学科服务专报学科服务专报 20202020 第第 3 3 期期LEDLED 芯片三大衬底技术专利芯片三大衬底技术专利分析报告（一）分析报告（一）南昌大学知识产权信息服务中心南昌大学知识产权信息服务中心摘要：摘要：目前较为成熟的目前较为成熟的 LEDLED 芯片衬底技术路线主要为三种：以芯片衬底技术路线主要为三种：以日本日本 NichiaNichia 为代表的蓝宝石、以美国为代表的蓝宝石、以美国 CREECREE 公司掌握的公司掌握的 SiCSiC 以及以以及以我校国家硅基我校国家硅基 LEDLED 工程技术研究中心为代表硅衬底技术。采用国际工程技术研究中心为代表硅衬底技术。采用国际高端专利检

2、索分析工高端专利检索分析工具具INNOGRAPHINNOGRAPHY Y对三大衬底技术中国大陆及南昌对三大衬底技术中国大陆及南昌大学基本情况大学基本情况、申请趋势申请趋势、申请人申请人、专利强度专利强度、发明人等进行分析发明人等进行分析。一一、南昌大学、南昌大学 LEDLED 衬底技术专利分析衬底技术专利分析（一）南昌大学专利概况（一）南昌大学专利概况LED 芯片三大衬底技术南昌大学共申请了 25 件专利，授权了 10件，授权率为 40%；已审专利 15 件，有 10 件在审查中，已审授权率为 66.7%；授权有效专利为 9 件，授权有效率为 90%。2表 2-1 LED 芯片三大衬底技术全球

3、专利申请基本情况序号序号项项目目数量数量/百分比百分比1申请量25 件2授权量10 件3授权率40%4审查中10 件5已审专利15 件6已审授权率66.7%7授权有效量9 件8授权有效率90%（二）南昌大学专利申请趋势分析（二）南昌大学专利申请趋势分析筛选 LED 芯片三大衬底技术南昌大学的专利申请数据，得到 25件，并将其按照专利申请年份进行统计，得到南昌大学专利申请趋势，如图 2-2 所示。图 2-2 南昌大学专利 LED 芯片衬底技术申请趋势分析3南昌大学 LED 芯片衬底技术专利申请始于 2005 年。2005 年只有1 件中国大陆专利，2006 年申请了 2 件世界专利，此 3 件为

4、 2010 年以前所有申请专利。南昌大学 LED 芯片衬底技术专利申请主要集中在 2016 年以后申请（17 件），2016 年当年即有 7 件。（三）（三）专利强度分析专利强度分析南昌大学LED芯片三大衬底技术专利有1件专利强度71，为2011年 10 月 24 日申请的中国大陆专利一种倒装半导体发光器件及其制造方法；另有 1 件专利强度 56，为 2016 年 4 月 22 日申请的中国大陆专利带 V 坑多量子阱多波长的 GaN 基 LED 外延结构及其制备方法；此 2 件专利衬底技术范围均涵盖盖获得国家技术发明一等奖的南昌大学硅衬底技术以及国际上较为成熟的蓝宝石、碳化硅衬底技术。其余专利

5、强度均不超过 30。（四）国内发明人分析（四）国内发明人分析对 LED 芯片三大衬底技术南昌大学专利发明人按专利数量排名得到发明人统计表 2-2。专利申请数量最多的发明人为 Fengyi JIANG（20 件）；另有JUNLIN LIU（19 件）、JIANLI ZHANG（14 件）、Chunlan MO（13 件）、ZHIJUE QUAN（10 件）专利数量在 10 件及以上。4表 2-2 LED 芯片三大衬底技术南昌大学专利数量前 20 发明人序号序号专利发明人专利发明人专利数量专利数量1Fengyi JIANG202JUNLIN LIU193JIANLI ZHANG144Chunlan

6、 MO135ZHIJUE QUAN106Xiaolan Wang97XIXIA TAO58Jie Ding49LONGQUAN XU410WANG GUANGXU411Wenqing FANG312Jiang Fu313SHUQIANG LI314XING GUO315Changda Zheng316Xiaoming Wu317Maoxing ZHOU218Hechu LIU219Li Wang220Wang LI2二二、中国大陆、中国大陆 LEDLED 衬底技术专利分析衬底技术专利分析（一）中国大陆专利基本情况（一）中国大陆专利基本情况LED 芯片三大