1、 目目 录录 前言前言.1 一、国际第三代半导体产业进展一、国际第三代半导体产业进展.4(一)逆全球化竞争加剧,各国强化自主发展(一)逆全球化竞争加剧,各国强化自主发展.4(二)(二)8 英寸英寸 SiC 产业化加快,制备出产业化加快,制备出 6 英寸英寸 GaN 单晶单晶.8(三)增长超过预期,企业加速扩张(三)增长超过预期,企业加速扩张.19(四)新能源汽车及储能推动产业进入高速增(四)新能源汽车及储能推动产业进入高速增长期长期.24 二、国内第三二、国内第三代半导体产业进展代半导体产业进展.28(一)国际封锁倒逼国产替代加速(一)国际封锁倒逼国产替代加速.28(二)器件装备产品进入应用(
2、二)器件装备产品进入应用.32(三)功率电子与射频产值增长(三)功率电子与射频产值增长 11.7%.43(四)市场加速渗透,新应用逐步开启(四)市场加速渗透,新应用逐步开启.51 三、趋势与展望三、趋势与展望.60 1 前言前言 2022 年,全球零碳政策深入实施,清洁能源利用增加,带动第三年,全球零碳政策深入实施,清洁能源利用增加,带动第三代半导体技术和产业快速发展。代半导体技术和产业快速发展。为应对气候变化,控制温室气体排放,叠加欧洲能源危机,2022 年,各国纷纷加快清洁能源产业发展,推动经济绿色转型发展。中国也积极推进“双碳”目标实现,不断调整产业结构,加速低碳技术应用,提升能源使用效
3、率,加快清洁能源开发。在此过程中,第三代半导体材料和技术在功率电子装置小型化和模块化,提高能源互联网可靠性、可控性,提升电动汽车和高速轨道交通电能转换效率,降低 5G 基站、数据中心等能耗等方面发挥关键作用,同时绿色低碳产业发展也带动了第三代半导体技术和产业进步。2022 年,年,全球全球半导体产业终结半导体产业终结连续连续高增长高增长,进入调整周期,进入调整周期,与与此此形成对比,在新能源汽车、光伏、储能等需求带动下,第三代半导体形成对比,在新能源汽车、光伏、储能等需求带动下,第三代半导体产业保持高速发展。技术方面产业保持高速发展。技术方面,碳化硅(SiC)领域,8 英寸衬底开始产业化;车规
4、级 SiC 功率器件是开发重点,多家厂商推出大功率模组及高温封装产品;整车及零部件厂商加快采用高压(800V 或 1200V)SiC 功率产品。氮化镓(GaN)领域,制备 6 英寸单晶衬底技术有新进展;小型化、高功率密度、耐辐照的 GaN 功率器件新品加快推出,耐压 1200V 的商业化产品和垂直型 GaN 功率器件实现小批量供货。GaN 射频方面,硅基 GaN 射频器件出货增加,多家企业推出 GaN 毫米波产品。GaN 光电子方面,Mini-LED 量产加速,Micro-LED 技术不断进步。超宽禁带方面,氧化镓(Ga2O3)是研究热点,衬底、外延、器件及装备等各环节技术均有突破,产业化技术
5、加快推进。设备和辅 2 材方面,8 英寸 SiC 设备推出,散热辅材持续改进。市场及产业方面市场及产业方面,新能源汽车,光伏与储能推动产业进入高速增长期,2022 年全球 SiC、GaN 功率半导体市场约 23.7 亿美元,GaN 微波射频市场约为 12.4 亿美元。上市公司产品供不应求、订单充分饱和、企业加速产能扩张,第三代半导体业务高增长、高毛利成为业绩亮点。随着龙头企业通过联合、绑定、并购等方式积极进入,第三代半导体全球化供应链正在形成,竞争格局逐步确立,先发企业的优势进一步稳固。总体来看,国际第三代半导体产业步入快速成长期。国内第三代半导体产业经过前期产能部署和产线建设,国产第三国内第
6、三代半导体产业经过前期产能部署和产线建设,国产第三代半导体产品相继开发成功并通过验证,进入产业成长期。技术方面,代半导体产品相继开发成功并通过验证,进入产业成长期。技术方面,SiC 商业化衬底外延主流仍为 6 英寸,8 英寸处于研发和小批量试产阶段,液相法生长 SiC 单晶开始试生产;SiC 二极管产品基本成熟,量产增加;多家企业加速推出 SiC MOSFET 商业化产品;国产 SiC 器件及模块在光伏及储能领域开始小批量应用。GaN 方面,制备出 6 英寸 GaN 单晶,GaN 消费电子产品价格下跌,GaN 射频产品供应增加。国产长晶、外延、工艺装备加速推出,标准生态逐步搭建。产业方面,产业