1、拓拓荆荆科科技技(6 68 88 80 07 72 2)深深度度报报告告：薄薄膜膜沉沉积积设设备备国国内内领领军军者者，混混合合键键合合设设备备第第二二成成长长曲曲线线评级：买入(维持)证券研究报告2025年01月17日半导体姚健(证券分析师)杜先康(证券分析师)S0350522030001S请务必阅读报告附注中的风险掫示和免责声明2相对沪深300表现表现1M3M12M拓荆科技-5.5%12.5%23.3%沪深300-2.8%0.6%18.1%最迋一年走势-25%-4%16%36%56%76%2024/01/172024/05/172024/09/172025/01/17拓荆科技沪深300市场

2、数据2025/01/17当前价格（元）154.9552周价格区间（元）101.40-222.22总市值（百万）43,125.81流通市值（百万）23,837.56总股本（万股）27,832.08流通股本（万股）15,384.03日均成交额（百万）629.02迋一月换手（%）56.46相关报告拓荆科技（688072）2024年半年报点评：2024Q2业绩高增长，产品种类持续丰富（买入）*半导体*姚健，杜先康2024-09-01请务必阅读报告附注中的风险掫示和免责声明3核核心心掫掫要要u 投投资资逻逻辑辑薄薄膜膜沉沉积积设设备备国国产产替替代代龙龙头头，受受益益于于国国内内晶晶圆圆扩扩产产及及工工

3、艺艺升升级级薄膜沉积设备是芯片制造三大核心设备之一，先进工艺对薄膜沉积不断掫出新的要求，我们测算，2023/2024E/2025E全球薄膜沉积设备市场空间为210.3/216.3/248.1亿美元，中国大陆薄膜沉积设备市场空间为72.7/73.5/84.4亿美元公司是薄膜沉积设备国产替代龙头，核心产品PECVD快速放量，同时持续丰富设备品类，截至2024H1末，公司PECVDALDSACVDHDPCVD及超高深宽比沟槽填充CVD薄膜设备可支持逻辑/存储芯片所需全部介质薄膜材料约100多种工艺应用，行业领先地位显著，有望优先受益于国内晶圆扩产和薄膜沉积设备国产替代前前瞻瞻布布局局混混合合键键合合

4、设设备备，开开启启第第二二成成长长曲曲线线混合键合是无凸点永久键合的高密度互连技术，目前已在CIS3D NAND等领域实现商业应用，根据Yole预测，HBM4有望开始应用混合键合公司前瞻布局混合键合设备，晶圆对晶圆键合产品现已实现产业化应用，芯片对晶圆键合表面预处理产品现已通过客户验证2024年12月2日美国BIS宣布新规，将HBM纳入严格管掖，国内HBM有望加速扩产，叠加HBM产品持续迭代，公司混合键合设备成长前景广阔u 投投资资建建议议：我们预计公司2024-2026年收入分别为38.36/51.78/67.75亿元，归母净利润分别为5.56/9.14/13.33亿元，对应EPS分别为2.

5、00/3.29/4.79元，对应PE分别为78X/47X/32X公司是薄膜沉积设备国产替代龙头，迋年积极布局混合键合，打开长期发展空间，维持“买入”评级u 风风险险掫掫示示：新新品品研研制制不不及及预预期期；下下游游客客户户扩扩产产进进度度不不及及预预期期；行行业业竞竞争争加加剧剧风风险险；地地缘缘因因素素不不确确定定性性；市市场场空空间间测测算算偏偏差差风风险险；研研究究报报告告使使用用的的公公开开资资料料可可能能存存在在信信息息滞滞后后或或更更新新不不及及时时的的风风险险请务必阅读报告附注中的风险掫示和免责声明41 1、薄薄膜膜沉沉积积设设备备国国产产替替代代龙龙头头，产产品品矩矩阵阵持持

6、续续丰丰富富请务必阅读报告附注中的风险掫示和免责声明5薄薄膜膜沉沉积积设设备备国国产产替替代代龙龙头头u 薄薄膜膜沉沉积积设设备备国国内内领领跑跑者者，前前瞻瞻布布局局混混合合键键合合设设备备2010年公司成立，2011年公司首台12英寸PECVD出厂到中芯国际验证，2013年通过中芯国际产品线测试，2016年公司首台12英寸ALD出厂到客户端，2019年公司SACVD研制成功并出厂到客户端，2022年公司Hybrid Bonding设备出厂，同年公司成功登陆科创板公司成立至今聚焦薄膜沉积设备，现已形成PECVDALDSACVD及HDPCVD为主的薄膜设备系列产品，迋年积极发力混合键合设备，下