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2021年半导体行业GaN产业链分析报告（38页）.pdf

编号：38553

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2021年半导体行业GaN产业链分析报告（38页）.pdf

GaN材料在射频产品的渗透率将逐步提升射频器件材料主要有三种: GaAs，基于Si的LDMOS以及GaN。GaAs 器件的缺点是器件功率较低，低于50W; LDMOS器件的缺点是工作频率存在极限，最高有效频率在3GHz以下; GaN弥补了GaAs和Si基LDMOS两种老式技术之间的缺陷，在体现GaAs高频性能的同时，结合了Si基LDMOS的功率处理能力。随着GaN材料工艺的成熟和成本的下降，GaN在射频市场的渗透率将提升，预计到2025年将达到50%左右。效率:越高越好，转化成有用信号的能量比率越高，转化成热量的能量比率越低，功率放大器的性能就越好。线性度:线性度越好，信号失真可能性越小增益:功放输入输出功率的比值，也就是放大倍数增益越高，信号放大能力就越强。

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