【研报】新三板TMT行业专题系列报告之十四：第三代半导体先天性能优越潜在市场空间巨大（10页）.pdf

1、预计未来第三代半导体市场规模稳步增长，潜在市场空间巨大。在 5G 通信、新能源汽车、快充、绿色照明等新兴需求崛起和国家政策大力支持的双重驱动下，预计我国第三代化合物半导体市场规模有望实现快速增长。2020“新基建”风口下第三代半导体应用发展与投资价值白皮书指出，2019 年我国第三代半导体市场规模为 94.15 亿元，预计 2019-2022 年将保持 85%以上平均增长速度，到 2022 年市场规模将达到 623.42 亿元。其中，第三代半导体衬底市场规模从 7.86 亿元增长至 15.21 亿元，年复合增速为 24.61%，半导体器件市场规模从 86.29 亿元增长至 608.21 亿元，

2、年复合增速为 91.73%。2. 第三代半导体国产替代空间广阔化合物半导体市场格局：海外企业主导，大陆话语权较弱，替代空间广阔。从 GaAs、 GaN 和 SiC 市场竞争格局来看，目前化合物半导体产业链各环节以欧美、日韩和中国台湾企业为主，大陆企业在技术实力、产能规模和市场份额方面与领先企业均具有不小差距，市场话语权较弱。以砷化镓为例，GaAs 产业链可分为上游外延片、中游晶圆制造和下游 GaAs 元件三大环节，三大环节均以海外企业为主导。其中，上游外延片前三大厂商分别为英国厂商 IQE(54%)、台湾厂商 VPEC(占比 25%)和日本厂商住友化学(Sumitomo Chemical)，CR3 高达 92%;中游晶圆代工领域台湾厂商稳懋一家独大，市场占有率高达 71.1%;下游 GaAs 企业市占率前三均被美国厂商把持，分别为：Skyworks(32.3%)、 Qorvo(26.0%)和 Broadcom(9.1%)，CR3 为 67.4%。大陆 GaAs 产业链竞争格局处于弱势，在单晶制造、外延片中的射频器件、IDM 中的射频器件等环节竞争力相对缺失。