拓荆科技：关于2024年度提质增效重回报专项行动方案的半年度评估报告.pdf

1、-1-拓荆科技股份有限公司拓荆科技股份有限公司 关于关于 20242024 年度提质增效重回报专项行动方案的年度提质增效重回报专项行动方案的 半年度评估报告半年度评估报告 拓荆科技股份有限公司（以下简称“公司”）为践行以“投资者为本”的上市公司发展理念，维护公司全体股东利益，基于对公司未来发展前景的信心及价值的认可，制定了 2024 年度“提质增效重回报”专项行动方案，围绕持续优化公司经营、增强投资者回报、加快创新发展、强化投资者沟通、进一步规范公司治理等方面，多措并举进一步提高公司发展质量，提升投资者获得感，助力资本市场健康、稳定发展。2024 年上半年（以下简称“报告期”），该专项行动方案

2、主要举措的实施情况及效果如下：一、一、聚焦主业聚焦主业，优化运营，创新引领公司高质量发展优化运营，创新引领公司高质量发展 报告期内，公司继续聚焦主业，做深做精主营产品，坚持自主创新，增强公司产品的市场竞争力，并持续强化公司运营管理，促进公司高质量、稳健、快速的发展，保持公司在国内半导体设备行业的领先地位。具体包括以下方面：（一）（一）持续深耕主业持续深耕主业，提高核心竞争力，提高核心竞争力 报告期内，公司持续专注薄膜沉积设备和混合键合设备的研发与产业化，不断拓展和提升 PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、超高深宽比沟槽填充 CVD 等薄膜沉积设备及混合键合设备的应用覆盖面及量产规模，

3、反应腔出货数量超过 430 个。截至报告期末，公司设备反应腔累计出货超过 1,940 个，进入超过 70 条生产线。-2-报告期内，面向国内芯片制造技术的迭代创新和下游客户快速发展的需求，公司持续突破核心技术，自主研发并推出了包括超高深宽比沟槽填充 CVD 设备、PECVD Bianca 工艺设备、键合套准精度量测设备等新产品及新工艺，并持续进行设备平台及反应腔的优化升级，包括新型设备平台（PF-300T Plus和PF-300M）和新型反应腔（pX 和 Supra-D）等，进一步提升产品核心竞争力。截至报告期末，公司推出的 PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD 及超高深宽比沟槽填充

4、CVD 等薄膜设备可以支撑逻辑芯片、存储芯片中所需的全部介质薄膜材料的约 100 多种工艺应用。公司推出的高产能新型平台和高性能新型反应腔持续获得客户订单并出货至客户端验证，截至报告期末，公司累计超过 180 个新型反应腔（pX 和 Supra-D）获得客户订单，超过 130 个新型反应腔出货至客户端验证，持续保持公司在先进产品方面的竞争优势。公司推出的应用于晶圆级三维集成领域的晶圆对晶圆键合设备和芯片对晶圆键合前表面预处理设备均获得客户重复订单。此外，公司自主研发了键合套准精度量测产品，已获得客户订单。报告期内，公司开发一套智能化的软硬件系统（Smart Machine），通过收集设备产品的

5、数据，并引入数据分析、统计、机器学习等方法，搭建智能化数据分析平台，可实现支持设备调试、系统优化、实时监控、故障修复等功能，提高设备装机调试效率、提升设备性能、降低维护成本，进一步提高产品竞争力。（二）（二）深化客户合作深化客户合作，加强市场加强市场拓展拓展 报告期内，公司继续聚焦中国大陆高端半导体设备市场，并积极响应下游客户对新工艺、新产品的需求，加快产品开发与导入，与客户保持深入稳定的、战略性的合作。公司以良好的稳定性、高产能及优异的薄膜工艺指标等特点持续保持产品的竞争优势，报告期内，薄膜沉积设备实现了多个新客户拓展，并获得原有客户的批量订单，不断扩大量产规模。截至报告期末，公司薄膜沉积设

6、备在客户端产线生产产品的累计流片量已突破 1.94 亿片。此外，公司混合键合设备已拓展至不同领域的客户。-3-（三）（三）加快加快募投项目推进，募投项目推进，持续持续扩建扩建产能产能 报告期内，公司首次公开发行股票募投项目“先进半导体设备的技术研发与改进项目”、“ALD 设备研发与产业化项目”两个项目均已实施完成并结项。基于“ALD 设备研发与产业化项目”建成的上海临港研发与产业化基地（一厂）已投入使用，提升了公司薄膜沉积设备的产能支撑能力。此外，截至本报告披露日，公司超募资金投资项目“半导体先进工艺装备研发与产业化项目”（上海二厂）按计划施工建设，进展顺利，预计 2025 年 6 月前投入使