1、11编写说明编写说明本报告集由国家知识产权局公共服务司组织编写。相关知识产权信息公共服务成果报告由各省知识产权局收集和推荐。经项目组初步筛选、专家评审后确定本次共享发布报告。报告集分为信息技术、新能源、新材料、生物医药、化学、创新研究 6 个分册，共 14 项成果报告。报告集充分考虑了信息的安全性与适宜性，主要内容为缩编后的精简成果，并对部分章节内容进行了必要的删减调整及脱敏处理，最大化展现各成果的核心价值与亮点。本次成果汇集和发布，旨在推广知识产权信息利用成果，促进发挥知识产权信息战略价值，进一步强化知识产权信息服务对科技创新和产业优化升级的支撑作用。衷心感谢慷慨共享成果的知识产权公共服务机

2、构。相信通过不断开展信息利用成果共享，加强知识产权公共服务机构之间专业交流与互鉴，能够有力推动信息服务环境的开放化、协同化，促进知识产权信息利用和服务规范化发展，为激励创新、优化资源配置和促进高质量发展提供更加有力支撑。编辑组2024 年 9 月2目 录半导体光刻胶专利分析研究报告.1集成电路产业碳化硅技术专利分析研究报告.77陕西省传感器产业专利导航报告.116知识产权公共服务机构信息服务成果共享报告集信息技术产业分册1半导体光刻胶专利分析研究报告江苏省知识产权保护中心江苏省知识产权保护中心（江苏省专利信息服务中心）（江苏省专利信息服务中心）南京工业大学南京工业大学原报告定稿时间：原报告定稿

3、时间：20242024 年年 4 4 月月知识产权公共服务机构信息服务成果共享报告集信息技术产业分册2编写人员名单课题负责人课题负责人：王亚利 江苏省知识产权保护中心 主任 正高工程师赵乃瑄 南京工业大学 馆长 研究馆员课题组成员：课题组成员：鲍志彦 南京工业大学 科长 副研究馆员李杉杉 南京工业大学 副研究馆员许思娴 南京工业大学 馆员沈玲玲 南京工业大学 馆员程琳 南京工业大学 馆员王凯 南京工业大学 馆员龚跃鹏 江苏省知识产权保护中心 知识产权高级工程师孟彦娟 江苏省知识产权保护中心 知识产权高级工程师张静文 江苏省知识产权保护中心知识产权公共服务机构信息服务成果共享报告集信息技术产业分

4、册3成果亮点该案例立足省内光刻胶产业实际发展现状与需求，理清半导体光刻胶领域的国内外整体发展态势，重点聚焦我国半导体光刻胶产业发展亟需突破的关键技术，为我国半导体光刻胶产业的高速发展提供支撑。从半导体光刻胶产业成熟技术、主流技术和前沿替代技术着手，分析其技术来源和目标市场、全球创新主体、核心专利技术等，找准我国光刻胶产业在前沿技术、产业链安全等突出问题，从推进创新成果转移转化、核心技术自主化、产业链上下游一体化等方面提出意见建议。知识产权公共服务机构信息服务成果共享报告集信息技术产业分册4第 1 章 半导体光刻胶产业发展概况光刻胶是一种对光敏感的混合液体，又称作光致抗蚀剂，是指经过不同波长的光

5、或电子束、离子束、射线等照射或辐射后，在曝光区域发生交联或降解，从而改变其在显影液中的溶解度和亲疏水性的混合物。主要组分为树脂、感光剂、溶剂及表面活性剂等添加剂。按照其化学反应机理和显影原理分类，光刻胶可分为负性胶和正性胶两类。1.1 半导体光刻胶产业发展现状光刻胶的技术复杂，品种较多，下游产品以光刻胶应用为主。光刻胶在给予一定量的曝光之后，在显影液中的溶解率会显著提高，是属于光降解型，所得图形与掩膜版相同。按照曝光光源的波长分类，光刻胶可分为紫外光刻胶（300-450nm，i 线、g 线）、深紫外光刻胶（ArF，193nm、KrF，248nm）、极紫外光刻胶（EUV，13.5nm）等。通常情

6、况下，在使用相同工艺方法的情况下，曝光波长越短，加工分辨率越好。按应用领域分类，光刻胶可分为印刷电路板（PCB）、平板显示和半导体用光刻胶。目前，全球光刻胶的核心技术基本被日本和美国企业掌握，中国在光刻胶行业与国际先进水平相比仍有差距。国外光刻胶制造商起步早，技术成熟，市场把控力强。中国光刻胶制造商起步较晚，缺乏技术积累，中国光刻胶关键原材料和光刻胶设备主要依赖进口，对外依存度大，导致中国光刻胶制造商在市场中处于弱势。1.2 国内半导体光刻胶产业政策中国政府对于光刻胶的发展关注度较高，国内企业通过技术创新逐步缩小中游环节与国外制造商的差距。自“六五”计划以来，光刻胶行业被列为国家高新技术计划和