1、证券研究报告证券研究报告本报告仅供华金证券本报告仅供华金证券客户客户中的专业投资者参考请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明中的专业投资者参考请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明制程微缩叠加3D趋势，刻蚀设备市场空间持续拓宽制程微缩叠加3D趋势，刻蚀设备市场空间持续拓宽半导体行业深度报告领先大市-A（维持）半导体行业深度报告领先大市-A（维持）华金证券电子团队一走进“芯”时代系列深度之八十八“刻蚀设备”华金证券电子团队一走进“芯”时代系列深度之八十八“刻蚀设备”分析师：孙远峰 S0910522120001分析师：王海维 S0910523020005联系人：吴家欢 S091012311000720

2、24年9月24日半导体设备系列报告之刻蚀设备半导体设备系列报告之刻蚀设备 2请仔细阅读在本报告尾部的重要法律声明核心观点核心观点u受益制程微缩受益制程微缩&3D趋势，刻蚀设备成为第一大半导体设备。趋势，刻蚀设备成为第一大半导体设备。随着线宽的持续减小和3D集成电路的发展，刻蚀设备已跃居集成电路采购额最大的设备类型。SEMI数据显示，全球刻蚀设备市场规模约210.44亿美元，占晶圆制造设备总市场规模的22%。由于刻蚀工艺复杂、技术壁垒高，全球刻蚀设备市场集中度高；华经产业研究院数据显示，2021年全球刻蚀设备CR3超90%。uCCP受益受益3D发展趋势，制程微缩推动发展趋势，制程微缩推动ICP需

3、求增长。需求增长。干法刻蚀是目前主流的刻蚀技术，可分为电容性等离子体刻蚀（CCP）和电感性等离子体刻蚀（ICP）两大类。CCP适用刻蚀硬介电材料以及孔/槽结构，其需求主要来自3D NAND等3D结构发展的推动；ICP适用于刻蚀硬度低或较薄的材料以及挖掘浅槽，因此线宽持续减少是ICP需求主要推动力。中微公司和北方华创是国产刻蚀设备龙头，分别在CCP和ICP领域占据领先地位。u下游扩产趋势明确，器件结构多维度升级刺激需求。下游扩产趋势明确，器件结构多维度升级刺激需求。根据SEMI数据，中国大陆已连续四年成为全球最大半导体设备市场。Gartner预计，2018-2025年中国大陆新建晶圆厂项目为74

4、座，位居全球第一。下游明确的扩产趋势，叠加半导体全产业链迫切的国产化需求，国产刻蚀设备迎来发展良机。器件结构多维度升级同步刺激需求。1）3D NAND/DRAM：高深宽比结构制造常采用CCP刻蚀设备。2）逻辑：）逻辑：GAA晶体管制造需要准确且高选择性的SiGe各向同性刻蚀；通过刻蚀设备采用多重曝光技术成为我国突破光刻极限关键手段。3）互连：）互连：HBM等多芯片堆叠结构以及背面供电架构均需构建TSV；深孔刻蚀是TSV的关键工艺，其中Bosch刻蚀是首选技术，通常选择ICP刻蚀设备。u建议关注标的：建议关注标的：泛林集团、东京电子、应用材料三家全球半导体设备头部企业均实现了刻蚀、薄膜沉积等多产

5、品线的布局，因此我们认为平台化建设走在前列的企业更具竞争优势。北方华创致力于打造半导体设备平台型企业，布局刻蚀/薄膜沉积/清洗/热处理四大应用领域，其中ICP突破12英寸各技术节点，CCP实现逻辑/存储/功率多关键制程覆盖。中微公司是国产刻蚀设备龙头，CCP设备和ICP设备应用覆盖度分别达到94%和95%，同时布局薄膜沉积等其他设备，平台化建设持续推进。u风险提示：风险提示：宏观经济和行业波动风险，下游客户资本性支出波动较大及行业周期性特点带来的经营风险，下游客户扩产不及预期的风险，市场竞争加剧风险，研发投入不足导致技术被赶超或替代的风险，研发方向存在偏差的风险等。3请仔细阅读在本报告尾部的重

6、要法律声明010204030506受益制程微缩受益制程微缩&3D&3D趋势，刻蚀设备成为第一大半导体设备趋势，刻蚀设备成为第一大半导体设备3D NAND3D NAND：堆叠层数竞赛开启，高深宽比刻蚀：堆叠层数竞赛开启，高深宽比刻蚀/多堆栈堆叠技术齐发展多堆栈堆叠技术齐发展DRAMDRAM：制程迭代刻蚀难度显著提高，：制程迭代刻蚀难度显著提高，3D DRAM3D DRAM成未来发展趋势成未来发展趋势逻辑：高选择逻辑：高选择SiGeSiGe刻蚀实现刻蚀实现GAAGAA生产，多重曝光技术突破光刻极限生产，多重曝光技术突破光刻极限TSVTSV：TSVTSV助力先进封装，刺激助力先进封装，刺激ICPIC