2024先进封装行业未来市场空间、龙头企业模式及设备与材料机会分析报告（75页）.pdf

1、2023 年深度行业分析研究报告 1.先进封装：大算力崛起，后摩尔时代的破壁者.4 1.1.先进封装打破集成电路限制，迈向高密度、高集成、低功耗.4 1.2.2028 年先进封装预计市场占据 58%封装市场，2.5D/3D 渗透速率亮眼 6 1.3.OSAT、Fab、IDM 齐发力，CR3 占据 50%以上市场.7 2.先进封装基石：二维、三维高集成，Bump、RDL、TSV 三重心.8 2.1.核心技术一：Bumping 为先机封装的基石.9 2.2.核心技术二：RDL 重定义二维集成.10 2.3.核心技术三：TSV 技术是三维堆叠的利刃.14 2.4.下一代封装技术：混合键合掀起浪潮.1

2、7 3.先进封装模式梳理：2.5D/3D 封装引领浪潮，HBM 打破“存储墙”.19 3.1.台积电、三星、英特尔面向未来的 2.5D/3D 封装.19 3.1.1.台积电先进封装引领行业风潮，3D Fabric 平台助力多维发展 20 3.1.1.1.台积电 SoIC 技术走在键合最前沿.21 3.1.1.2.台积电 CoWoS 技术引领 2.5D/3D 封装浪潮.24 3.1.1.3.台积电 InFO 技术为移动通讯的标杆.28 3.1.2.三星先进异构封装，提供从 HBM 到 2.5D/3D 的交钥匙解决方案 29 3.1.3.Intel 先进封装方案兼具性价比及可拓展性.32 3.2.

3、海力士、三星、美光 HBM 打破“存储墙”.35 3.2.1.高性能计算要求高带宽低功耗，HBM 应运而生.35 3.2.2.小体积、高传输，HBM 封装核心在晶圆堆叠.40 3.2.3.HBM 对测试提出更严苛要求.46 4.设备机会梳理：先进封装卖铲人，国产破局正当时.47 4.1.DISCO 回顾：“切磨抛”护城河高筑，进军先进封装打开市场空间 51 4.2.BESI 回顾：固晶机龙头，混合键合势如破竹.55 4.3.HANMI：深度绑定海力士，热压键合增长迅速.60 4.4.国内厂家抢占先进封装赛道，国产替代有望突破.61 5.材料机会梳理：封装材料率先国产化突破，散热需求带来新成长.

4、63 5.1.CMP 材料随减薄需求上量，电镀液国产替代正当时.65 5.2.先进封装胶材大有可为，热界面材料大势所趋.68 1.先进封装：大算力崛起，后摩尔时代的破壁者先进封装：大算力崛起，后摩尔时代的破壁者 1.1.先进封装打破集成电路限制，迈向高密度、高集成、低功耗先进封装打破集成电路限制，迈向高密度、高集成、低功耗 先进封装助力“超越摩尔”，实现高集成、小面积、低功耗。先进封装助力“超越摩尔”，实现高集成、小面积、低功耗。1965 年 5 月，仙童半导体和英特尔的联合创始人之一戈登摩尔发表了一篇题为Cramming more components onto integrated cir

5、cuits的论文，在这篇论文中，Moore 预测：芯片上的晶体管数量大约每两年翻一番。简单来说，摩尔定律指芯片上可容纳的元器件的数目，约每隔 18-24 个月便会增加一倍，性能也将提升一倍，或成本下降一半。而如今，延续摩尔定律所需的新技术研发周期拉长、工艺迭代周期延长、成本提升明显，集成电路的发展受“存储墙”“面积墙”“功耗墙”和“功能墙”的制约。图图1：摩尔定律自摩尔定律自 2005 年后逐渐减缓年后逐渐减缓 图图2：台积电台积电 12 英寸晶圆价格随制程呈指数增长英寸晶圆价格随制程呈指数增长 数据来源：ASML 数据来源：台积电公告，国泰君安证券研究 针对“存储墙”，即处理器的峰值算力每两

6、年增长 3.1 倍，而 DRAM 的带宽每两年增长 1.4 倍，使存储器发展速度远落后于处理器。而通过 TSV、微凸块等先进封装技术制备 HBM（高带宽存储器），能够大幅提升内存带宽，并将其与 GPU 通过 interposer 相连，可以实现存储器与处理器之间数据的超近距离传输。例如，当前SK Hynix的HBM3芯片最高带宽达到了819 GB/s，是 GDDR5 的 25 倍左右。针对“面积墙”，即芯片尺寸受限于光刻机的光罩极限，当前最先进的极紫外光刻机的最大光罩面积为 858 mm2（26 mm33 mm）,突破光罩面积将付出极高成本，英伟达 H100 GPU 芯片，采用台积电采用 4N