机械设备行业深度报告：AI浪潮势不可挡国产半导体设备迎先进工艺产线资本开支潮-240205（20页）.pdf

1、机械设备机械设备 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 1/20 机械设备机械设备 2024年 02月 05日 投资评级：投资评级：看好看好（维持维持）行业走势图行业走势图 数据来源：聚源 携中国制造优势，出海寻求多元化收益行业周报-2024.1.28 特斯拉机器人进入研发迭代尾声，2025 年将成为放量里程碑行业点评报告-2024.1.26 连接器在机器人领域的应用探讨行业周报-2024.1.21 AI 浪潮势不可挡，国浪潮势不可挡，国产半导体设备产半导体设备迎迎先进先进工艺产线工艺产线资本开支资本开支潮潮 行业深度报告行业深度报告 孟鹏飞（分析师）孟鹏飞（分析师） 证书编号：S07905

2、22060001 AI 浪潮势不可挡浪潮势不可挡，国国内内先进制程先进制程与与先进封装先进封装产线资本开支加速产线资本开支加速 高性能运算（HPC）已经成为全球半导体产业发展的核心支柱，算力升级离不开 AI GPU 的支撑。AI GPU 首先要通过先进制程工艺制造存储与逻辑芯片，再采用 2.5D/3D 先进封装工艺来提升系统性能。目前，国内两大存储厂已分别在 3D NAND、LPDDR5 取得技术突破，高性能 AI 芯片出海代工受限加剧国内 FinFET 产能紧缺，终端龙头回归推动长电科技、通富微电等封测厂商加大在先进封装领域布局。在瓶颈设备进口数据乐观、国产配套设备工艺覆盖度提升的背景下，国

3、内存储、先进逻辑、先进封装产线扩产确定性强。先进先进存储、逻辑产线存储、逻辑产线对刻蚀对刻蚀、薄膜薄膜沉积沉积、外延、外延、量检、量检测设备测设备需求量需求量增加增加 刻蚀：刻蚀：根据 Yole，存储器件芯片结构从二维向三维转变使得等离子体刻蚀成为步骤最多、最关键的工序，2025 年预计占 3D NAND 制造设备总规模的 73%，极高深宽比刻蚀是 3D NAND 向 200 层甚至 300 层以上升级过程中最关键的工艺。因多次曝光的引入，12 寸先进逻辑产线刻蚀设备用量是成熟制程产线的2.4 倍，一体化大马士革刻蚀为 28 纳米以下逻辑器件制造最核心的工艺之一。薄膜薄膜沉积沉积：先进逻辑产线

4、约需超过 100 道薄膜沉积工序，是 90nm CMOS 工艺的 2.5 倍。其中，ALD 设备因可以实现高深宽比、极窄沟槽开口的优异台阶覆盖率及精确薄膜厚度控制，成为先进逻辑、存储器件制造中必需的薄膜设备。外延外延：在关键尺寸进入 28 nm 及以下后，必须采用锗硅外延技术来加大 PMOS 的压应力，以提高器件整体响应速度。除以上三类设备外，先进逻辑产线对炉炉管管、量检测、量检测等设备用量也提升，平台型厂商更受益于先进逻辑产线的扩产。CoW 固晶、固晶、CMP、电镀、电镀、键合、量检测键合、量检测、光刻、光刻为为先进封先进封装装高价值量高价值量环节环节 HBM 使用 3D 封装工艺，并与 G

5、PU 通过 CoWoS 2.5D 封装水平互联。以 2024-2033 年国内智能算力需求测算，我们预计先进封测设备总投资有望达到 661.1亿元，其中 CoW 倒装固晶（12.5%）、CMP(7.5%)、电镀(7.5%)、临时键合与解键合(7.5%)、量检测（6.7%）、光刻（6.3%）产线价值量占比合计 47.9%。先进封装对晶圆级设备的性能要求低于前道产线，国产前道设备厂商向先进封装领域布局属于技术降维，未来在国内先进封装产线有望占据较高份额。对于后道封测设备厂商来说，更先进的封装工艺对设备要求提升，国产厂商在成品测试、分选等环节技术实力强，相比之下在固晶、切割、研磨、塑封等环节实力稍弱

6、，未来市场份额预计稳步提升。供应链自主供应链自主可控可控为产业共识，半导体前、后道设备为产业共识，半导体前、后道设备厂商市占率厂商市占率有望提升有望提升 受益于存储、先进逻辑扩产，受益于存储、先进逻辑扩产，前道设备有望前道设备有望边际边际签单提速签单提速，受益标的：，受益标的：中微公司（等离子刻蚀）、芯源微（涂胶显影）、北方华创（平台型）、盛美上海（平台型）、中科飞测（量检测）、拓荆科技（CVD）。先进封装先进封装为为后道设备商带来增后道设备商带来增长弹性长弹性，受益标的：，受益标的：赛腾股份、快克智能、芯碁微装。风险提示：风险提示：产线扩产进度、力度不及预期，设备国产化率提升不及预期。-38