东微半导-公司研究报告-高性能功率器件技术创新引领者新品放量打开成长天花板-230629(27页).pdf

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1、证券研究报告公司深度研究半导体 东吴证券研究所东吴证券研究所 1/27 请务必阅读正文之后的免责声明部分请务必阅读正文之后的免责声明部分 东微半导(688261)高性能功率器件技术高性能功率器件技术创新创新引领者引领者,新品放量新品放量打开成长天花板打开成长天花板 2023 年年 06 月月 29 日日 证券分析师证券分析师 马天翼马天翼 执业证书:S0600522090001 证券分析师证券分析师 鲍娴颖鲍娴颖 执业证书:S0600521080008 研究助理研究助理 李璐彤李璐彤 执业证书:S0600122080016 股价走势股价走势 市场数据市场数据 收盘价(元)135.25 一年最低

2、/最高价 126.06/328.00 市净率(倍)3.14 流通 A 股市值(百万元)7,940.24 总市值(百万元)12,757.72 基础数据基础数据 每股净资产(元,LF)43.13 资产负债率(%,LF)2.28 总股本(百万股)94.33 流通 A 股(百万股)58.71 买入(首次)Table_EPS 盈利预测与估值盈利预测与估值 2022A 2023E 2024E 2025E 营业总收入(百万元)1,116 1,557 2,106 2,777 同比 43%39%35%32%归属母公司净利润(百万元)284 389 518 672 同比 94%37%33%30%每股收益-最新股本

3、摊薄(元/股)3.01 4.12 5.49 7.12 P/E(现价&最新股本摊薄)44.87 32.82 24.63 18.99 Table_Tag 关键词:关键词:#进口替代进口替代#新产品、新技术、新客户新产品、新技术、新客户 Table_Summary 投资要点投资要点 高性能功率器件技术创新高性能功率器件技术创新引领者,引领者,新品放量打开成长天花板新品放量打开成长天花板。公司重视底层器件结构创新,持续丰富产品矩阵,目前已覆盖高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅 MOSFET、超级硅 MOSFET、TGBT、SiC 器件等产品。下游应用领域包括以车载、直流充电桩、光伏逆变器、工业及通信

4、电源为代表的工业级应用领域,以及以手机快速充电器、电源为代表的消费电子应用领域。受益新能源市场需求高增,公司营收持续快速增长,22 全年、23Q1 营收分别为 11.2 亿元、3.0 亿元,同增 43%、47%。盈利能力方面,受持续进行技术迭代、产品组合结构调整及涨价等综合因素影响,同时通过数字化手段不断提升运营效率,公司毛利率、净利率持续提升。MOSFET:高压高压 MOSFET 市场快速增长,公司产品性能比肩国际龙头市场快速增长,公司产品性能比肩国际龙头。伴随车载 OBC、充电桩等下游高压领域需求增长,高压 MOSFET 将迎快速增长,根据电子发烧友,2021 年全球中低压(400V)市场

5、规模分别约 71 亿美元、42 亿美元,21-26 年全球中低压、高压 MOSFET 市场规模 CAGR 分别约 4%、12%。公司超级结 MOSFET 产品性能国内领先、超级硅 MOSFET 产品性能国际先进,并持续扩大高压超级结 MOSFET 在光伏逆变、储能应用、UPS 领域的业务,成功替换 IGBT 并且明显提升系统效率,出货呈现迅速增加态势,未来有望深度受益下游大客户需求高增长。IGBT&SiC:新能源市:新能源市场拉动需求场拉动需求增长增长,公司积极布局,公司积极布局。公司独创 Tri-gate 结构 IGBT 器件,性能国际领先,批量进入光伏逆变及储能、车载充电机、直流充电桩等领

6、域头部客户供应链,并在新能源汽车主驱应用领域进入认证阶段。22 年在 SiC 二极管、SiC MOSFET 及 Si2C MOSFET器件上取得较大研发进展,其中 Si2C MOSFET 进入批量生产阶段、首次实现营收,实现对采用传统技术路线的 SiC MOSFET 的替代。盈利预测与投资评级:盈利预测与投资评级:公司是高性能功率器件技术创新引领者,新品放量打开成长天花板。基于此,我们预计公司 23-25 年归母净利润为3.9/5.2/6.7 亿元,当前市值对应 PE 分别为 32.8/24.6/19.0 倍,首次覆盖给予“买入”评级。风险提示:风险提示:代工产能增长不及预期;功率半导体市场竞

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