【国盛证券有限责任公司】电子行业专题研究：SLC NAND：老树也能开新花-260702（14页）.pdf

1、证券研究报告|行业专题研究 请仔细阅读本报告末页声明请仔细阅读本报告末页声明 gszqdatemark 电子电子 SLC NAND：老树也能开新花：老树也能开新花 SLC NAND 性能卓越，大厂退出带来替代空间性能卓越，大厂退出带来替代空间。SLC NAND（Single-Level Cell NAND，单层单元闪存）是指每个存储单元仅存储 1 位数据 0 或 1）的 NAND Flash 技术，通过两种状态 已擦除/已编程）实现数据存储。相较于同属于 NAND Flash 的 MLC、TLC 及 QLC 等多比特存储方案，SLC NAND 在擦写寿命、写入延迟、运行稳定性等方面通常具有更优

2、表现。从市场规模来看，SLC NAND 作为 NAND Flash 中的细分市场，整体体量较小，2024 年全球 NAND 市场规模约 656 亿美元，其中 SLC NAND 市场规模为 23.2 亿美元，从竞争格局看，全球 SLC NAND 市场份额高度集中于海外及中国台湾厂商，2025 年前几大厂商为美光、铠侠、华邦、SkyHigh、旺宏、兆易创新、东芯股份，分别为 21%、20%、15%、14%、11%、9%、6%。近年来全球 NAND 原厂的研发投入与资本开支重点持续向高层数 3D NAND 演进，就铠侠而言，2026 年 3 月公开报道显示，其已向客户通知停止 TSOP 封装相关产品

3、供应，原因包括相关基板退出、市场需求变化及生产限制，SLC NAND 迎来国产替代机遇。AI 带动带动 2D NAND 价值重估，需求有望高速增长。价值重估，需求有望高速增长。英伟达联合亚马逊共同推进 GIDS GPU 发起直接存储访问）技术研发，该方案将落地于双方下一代 Vera Rubin AI 平台。AI 工作负载对 SSD 提出了极端的技术要求，在 GPU 直接控制 SSD 的架构下，这些要求变得更加突出，对 AI SSD 也提出了新的需求，需要性能需求升级、耐久性要求提高、面临散热与功耗约束、多发起者数据一致性与隔离以及容量与成本的平衡。另外我们认为值得注意的是 AI 推理场景下 K

4、V 缓存等业务呈现高频、小粒度覆写的存取特征，会显著抬升 SSD 每日全盘写入量 DWPD），为匹配严苛的耐久度需求，存储厂商通常会选用存储厂商通常会选用 pSLC、pMLC 闪存架构方案，或是大幅提升盘闪存架构方案，或是大幅提升盘内超额配置 内超额配置 OP）占比来缓解写入压力，）占比来缓解写入压力，AI 时代时代 SLC&MLC NAND 价价值有望被重估，需求有望高速增长。值有望被重估，需求有望高速增长。未来的数据中心是让不同层级存储各司其职，大模型推理、长上下文、未来的数据中心是让不同层级存储各司其职，大模型推理、长上下文、KV Cache、RAG 和向量检索场景里和向量检索场景里 X

5、L-FLASH 这类低时延这类低时延 SCM 技术的价技术的价值会更加被放大。值会更加被放大。铠侠第二代 XL-FLASH 提供 128Gb SLC、256Gb MLC 两类芯片规格，凭借低时延、高耐久、易扩展的多重性能优势，精准匹配当下数据中心与企业端 SCM 存储需求。未来的数据中心是让不同层级存储各司其职，DRAM 继续承担极低时延的主内存任务，HBM 继续服务 GPU 侧的高带宽访问。TLC、QLC NAND 继续承担大容量存储和成本敏感型数据承载。XL-FLASH 这类 SCM，则可以在 DRAM/HBM 与传统 NAND 之间，补上一个低时延、非易失、容量更可扩展的新层级。AI 系

6、统里的数据访问模式越来越复杂，尤其在大模型推理、长上下文、KV Cache（值值缓存）、RAG（检索增生生成）和向量检索场景里，频的的小随机机访问会越来越多，传统 SSD 更擅长大随顺序读写，而而 AI 推理里的很多访问请求更碎、推理里的很多访问请求更碎、更频的、更靠近实时路径，更频的、更靠近实时路径，XL-FLASH 这类低时延这类低时延 SCM 技术的价值会更技术的价值会更加被放大。加被放大。TrendForce 预判预判 SLC NAND 2026 下半年价格仍具备下半年价格仍具备 70%-75%上行上行空间。空间。根据 TrendForce，依托高擦写寿命、极低误码率、长效数据存储与宽