1、玻璃基板行业深度：驱动因素、发展空间、国产替代及相关公司深度梳理后摩尔时代，先进封装成为突破AI芯片性能瓶颈的关键路径，而玻璃基板凭借优异的物理化学性能（低CTE、高平整度、低介电损耗），成为解决先进封装翘曲和高频信号传输问题的理想方案，是后摩尔时代的重要技术方向。行业正处于从研发验证向小规模量产过渡的关键阶段，英特尔、三星等国际巨头引领进度，国内企业在材料、设备制造和基板制造环节已形成全链条布局，加速进口替代。围绕玻璃基板行业，下面我们从其发展驱动因素及性能优势等方面展开讨论，对其发展现状、市场空间、新应用场景、国产替代、发展趋势等方面进行分析，对产业链及国内相关公司进行梳理，希望帮助大家更

2、多了解玻璃基板行业发展情况。一、发展驱动因素1.先进封装产能紧缺，推动封装方案迭代升级后摩尔时代先进封装需求景气。根据摩尔定律，芯片上的晶体管数量每18至24个月翻一倍。目前台积电已突破至2nm工艺，未来单纯依靠制程提升性能的空间越来越小。先进封装通过将不同功能的芯片立体集成，可以在不缩小制程的前提下，实现性能、功耗、密度的三重跃升。(divcenter)TSMC芯片制程选代历程(/divcenter)根据Yole，2024年先进封装市场规模460亿美元，同比+19%，2030年规模预计将超过794亿美元，2024-2030年CAGR达9.5%。其中，直接服务于AI与数据中心需求的script

3、style2.5mathrmD/3mathrmD先进封装增长最快，预计在2024至2030年间以约19%的年复合增长率，到2030年规模将接近350亿美元。CoWoS封装是目前AI芯片的主流方案，其先将逻辑芯片与HBM安装在硅中介层上，晶圆被切割成大型矩形中介层，圆形边缘的废料区域被丢弃，透过中介层内部微小金属线来整合左右不同芯片的电子讯号，同时经由硅穿孔（TSV）来连接下方基板，将讯号导向下方，最终透过金属球与外部电路衔接，最终形成2.5D、3D的型态，可减少芯片的空间，同时减少功耗和成本。根据材料不同，CoWoS技术又分成CoWoS-R、CoWoS-L和CoWoS-S。AI算力需求高增，先

4、进封装产能不足，龙头积极推动封装方案迭代。当前全球先进封装产能短缺，台积电2024年月产能约3.5万片，2024全年约3032万片，月产能有望在2026年底达到11.5万至143/29万片晶圆，并于2027年进一步提高至约17万片。虽然台积电积极扩产，但仍不能满足AIGPU、云厂ASIC与HBM的需求扩张。根据EpochAi数据，2025年英伟达、谷歌、AMD、亚马逊四家分别包揽90%/92%的CoWoS/HBM产能，台积电正在积极布局CoWoS-L、CoPoS及CoWoP等下一代封装方案。2.先进封装带动IC载板需求增长2024年，先进IC载板市场温和回升至142亿美元，同比增长1%。根据Y

5、oleGroup预测，受AI/HPC等应用带动，以及消费、汽车与国防等新兴领域的持续渗透，到2030年先进IC载板整体市场有望达到310亿美元。二、概述1.玻璃基板玻璃基板为无机载板的一种，过去主要用于显示面板。封装载板按照基材种类不同可分为无机载板和有机载板，目前有机封装载板的产值约占整个封装载板总产值的80%以上，其中又以刚性载板为主。刚性载板主要包括BT载板与ABF载板，为半导体封装的关键材料，其介于芯片与PCB之间，主要解决信息传输、芯片散热、芯片保护与芯片支撑等功能。玻璃基板CTE更接近硅，可避免翘曲问题。由于传统有机基板CTE高于硅芯片，容易产生翘曲问题，且面积越大越明显。对比来看

6、，硅的CTE为mathrm2.7ppm/mathrmC，有机材料FR-4CTE为mathrm16ppm/circC，Low-CTE玻璃的CTE为3.8mathrmppm/circC，玻璃CTE更接近硅，有助于减少热循环过程中的应力和变形，避免翘曲问题。同时，玻璃基板具有优异的电气绝缘性能，能有效减少信号损耗和串扰，适合高频应用环境。玻璃基板还具备高机械强度和高平整度，能够实现高密度互连和精确的层间对准。不同温度下芯片翘曲玻璃基板（GlassSubstrate）是指采用高性能玻璃材料作为半导体、显示面板、封装载体等电子元器件的基底材料。玻璃基板最早应用于显示行业，随后随着先进封装技术的发展，玻璃